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半导体纤芯/玻璃包层复合光纤的制备与研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第12-33页
    1.1 引言第12-13页
    1.2 半导体纤芯复合光纤的研究进展第13-18页
    1.3 半导体特性第18-26页
        1.3.1 硒第18-19页
        1.3.2 锗第19-22页
        1.3.3 锑化铟第22-24页
        1.3.4 锑化镓第24-26页
    1.4 半导体纤芯复合光纤的热力学分析第26页
    1.5 半导体纤芯复合光纤的制备方法第26-29页
        1.5.1 管棒法第27-28页
        1.5.2 高压气相沉积法第28-29页
    1.6 复合光纤的应用前景第29-31页
    1.7 本课题研究的目的和项目来源第31-33页
        1.7.1 本课题研究的目的和意义第31页
        1.7.2 本文的主要研究内容第31-32页
        1.7.3 本课题研究来源第32-33页
第二章 玻璃的制备与测试第33-37页
    2.1 包层玻璃的选择原则第33页
    2.2 包层玻璃的制备第33-34页
        2.2.1 磷酸盐玻璃的制备第33-34页
        2.2.2 锗酸盐玻璃的制备第34页
    2.3 玻璃和光纤的性能测试第34-37页
第三章 硒纤芯/磷酸盐玻璃包层复合光纤的制备与研究第37-50页
    3.1 硒纤芯复合光纤的理论设计第37-40页
        3.1.1 目标第37页
        3.1.2 硒的性质第37页
        3.1.3 包层玻璃的选择第37-38页
        3.1.4 可行性分析第38-40页
    3.2 硒纤芯/锗酸盐玻璃包层复合光纤的制备第40-42页
        3.2.1 预制棒的制备第40-41页
        3.2.2 光纤的拉制第41-42页
    3.3 硒纤芯/锗酸盐玻璃复合光纤的性能与分析第42-49页
        3.3.1 元素分布第42-44页
        3.3.2 硒纤芯物相分析第44-45页
        3.3.3 热处理第45-47页
        3.3.4 光纤损耗的测量第47-48页
        3.3.5 光电特性第48-49页
    3.4 本章小结第49-50页
第四章 半导体(Ge、InSb、GaSb)纤芯/锗酸盐玻璃包层复合光纤的制备与研究第50-74页
    4.1 光纤的理论设计第50-55页
        4.1.1 目标第50-51页
        4.1.2 包层玻璃的选择第51页
        4.1.3 可行性分析第51-55页
    4.2 半导体(Ge、InSb、GaSb)纤芯/锗酸盐玻璃包层复合光纤的制备第55-60页
        4.2.1 半导体化学清洗工艺第55-56页
        4.2.2 预制棒的制备第56-57页
        4.2.3 复合光纤的拉制第57-60页
    4.3 复合光纤的性能与分析第60-73页
        4.3.1 锗纤芯光纤第60-63页
        4.3.2 锑化镓纤芯光纤第63-69页
        4.3.3 锑化铟纤芯光纤第69-73页
    4.4 本章小结第73-74页
结论第74-76页
参考文献第76-83页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第83-84页
致谢第84-85页
附件第85页

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