| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 生长技术 | 第11-15页 |
| 1.1.1 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第12-13页 |
| 1.1.2 分子束外延技术(MBE) | 第13-15页 |
| 1.2 加工工艺 | 第15-18页 |
| 1.2.1 表面处理 | 第15页 |
| 1.2.2 光刻工艺 | 第15-16页 |
| 1.2.3 刻蚀工艺 | 第16-17页 |
| 1.2.4 欧姆接触 | 第17-18页 |
| 第二章 测试系统与测试方法 | 第18-24页 |
| 2.1 测试系统 | 第18-20页 |
| 2.2 测量方法 | 第20-24页 |
| 2.2.1 标准法 | 第20-21页 |
| 2.2.2 范德堡法 | 第21-24页 |
| 第三章 二维电子气的输运理论 | 第24-33页 |
| 3.1 经典输运理论：特鲁德(Derude)模型 | 第24-25页 |
| 3.2 量子霍尔效应 | 第25-29页 |
| 3.2.1 整数量子霍尔效应(IQHE) | 第26-27页 |
| 3.2.2 分数量子霍尔效应(FQHE) | 第27-29页 |
| 3.3 SdH振荡(Shubnikov-de Haas oscillations) | 第29-30页 |
| 3.4 自旋-轨道耦合 | 第30-33页 |
| 第四章 In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中2DEG的迁移率 | 第33-44页 |
| 4.1 电子的有效质量 | 第33-35页 |
| 4.2 关于迁移率的理论计算 | 第35-36页 |
| 4.3 温度变化对迁移率的影响 | 第36-39页 |
| 4.3.1 输运迁移率和量子迁移率 | 第36-37页 |
| 4.3.2 计算结果与分析 | 第37-39页 |
| 4.4 磁场与样品角度变化对迁移率的影响 | 第39-42页 |
| 4.4.1 霍尔迁移率 | 第39-40页 |
| 4.4.2 计算结果与分析 | 第40-42页 |
| 4.5 小结 | 第42-44页 |
| 第五章 In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中2DEG的自旋 | 第44-55页 |
| 5.1 样品和实验 | 第44-45页 |
| 5.2 Rashba参数α和零场自旋分裂能 | 第45-50页 |
| 5.2.1 温度变化对Rashba参数和零场自旋分裂能的影响 | 第47-49页 |
| 5.2.2 角度变化对Rashba参数和零场自旋分裂能的影响 | 第49-50页 |
| 5.3 二维电子气的有效g因子 | 第50-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 结论和展望 | 第55-57页 |
| 6.1 结论 | 第55页 |
| 6.2 展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文情况 | 第64页 |
