摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5页 |
第1章 文献综述 | 第8-24页 |
1.1 钙钛矿材料的结构特点 | 第8-10页 |
1.2 钙钛矿材料中掺杂的影响作用 | 第10-13页 |
1.3 钛钛矿材料的制备方法 | 第13-16页 |
1.3.1 钙钛矿薄膜材料的制备方法 | 第13-15页 |
1.3.2 钙钛矿晶体的制备方法 | 第15-16页 |
1.4 钙钛矿材料的应用 | 第16-21页 |
1.4.1 钙钛矿材料在太阳能电池中的应用 | 第17-18页 |
1.4.2 钙钛矿材料在场效应晶体管中的应用 | 第18-20页 |
1.4.3 钙钛矿材料在有机发光二极管中的应用 | 第20-21页 |
1.4.4 钙钛矿材料在其他光电器件的应用 | 第21页 |
1.5 本文的研究内容及意义 | 第21-24页 |
第2章 甲胺铅溴晶体的生长规律与性能研究 | 第24-40页 |
2.1 实验方法 | 第24-28页 |
2.1.1 主要原料及试剂 | 第24-25页 |
2.1.2 仪器与设备 | 第25-26页 |
2.1.3 原料CH_3NH_3Br的合成 | 第26-27页 |
2.1.4 不同实验条件下甲胺铅溴晶体的制备 | 第27-28页 |
2.1.5 甲胺铅溴晶体材料的性能测试方法 | 第28页 |
2.2 甲胺铅溴晶体生长规律的结果和讨论 | 第28-33页 |
2.2.1 前驱体溶液浓度对晶体生长状况的影响 | 第29-30页 |
2.2.2 晶体形貌随时间和反溶剂种类的变化 | 第30-32页 |
2.2.3 基底对晶体聚集程度的影响 | 第32-33页 |
2.3 不同前驱体比例下甲胺铅溴晶体性能的研究 | 第33-40页 |
2.3.1 光学性能分析 | 第34-36页 |
2.3.2 电学性能分析 | 第36-38页 |
2.3.3 不同前驱体比例下甲胺铅溴晶体元素差异的分析 | 第38-40页 |
第3章 甲胺铅溴晶体在光电器件中的应用 | 第40-50页 |
3.1 实验方法 | 第40-43页 |
3.1.1 主要原料及仪器设备 | 第40-41页 |
3.1.2 甲胺铅溴晶体场效应晶体管的制备 | 第41-42页 |
3.1.3 甲胺铅溴薄膜太阳能电池的制备 | 第42-43页 |
3.1.4 不同实验条件下甲胺铅溴晶体的制备 | 第43页 |
3.2 甲胺铅溴在场效应晶体管中应用性能的研究 | 第43-45页 |
3.3 甲胺铅溴在太阳能电池中应用性能的研究 | 第45-46页 |
3.4 甲胺铅溴晶体材料稳定性的研究 | 第46-50页 |
3.4.1 氧气对晶体生长的影响 | 第46-47页 |
3.4.2 空气对晶体生长的影响 | 第47-50页 |
第4章 甲胺铅溴晶体生长模型的初步建立 | 第50-60页 |
4.1 理论模型的建立 | 第50-53页 |
4.2 模拟结果和讨论 | 第53-60页 |
4.2.1 晶体覆盖率随时间的变化关系 | 第54-56页 |
4.2.2 晶体厚度随时间的变化关系 | 第56-57页 |
4.2.3 晶体分形维数随时间的变化关系 | 第57-60页 |
第5章 结论 | 第60-62页 |
参考文献 | 第62-70页 |
附录 | 第70-76页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第76-78页 |
致谢 | 第78-79页 |