| 致谢 | 第5-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 序言 | 第11-15页 |
| 1 引言 | 第15-35页 |
| 1.1 研究背景 | 第15页 |
| 1.2 钙钛矿材料简介 | 第15-17页 |
| 1.3 有机-无机杂化钙钛矿材料制备方法 | 第17-20页 |
| 1.3.1 双源热蒸发法 | 第18页 |
| 1.3.2 两步溶液制备法 | 第18-19页 |
| 1.3.3 一步前驱体溶液旋涂法 | 第19-20页 |
| 1.3.4 其他制备方法 | 第20页 |
| 1.4 有机-无机杂化钙钛矿材料的光电特性 | 第20-22页 |
| 1.4.1 钙钛矿的电学性能 | 第20-21页 |
| 1.4.2 钙钛矿的光学特性 | 第21-22页 |
| 1.5 钙钛矿薄膜形貌控制研究的现状 | 第22-23页 |
| 1.6 有机-无机杂化钙钛矿材料的光电应用 | 第23-32页 |
| 1.6.1 平面光波导ASE | 第23-30页 |
| 1.6.2 光探测器件 | 第30-32页 |
| 1.7 本论文的主要工作及意义 | 第32-35页 |
| 2 钙钛矿薄膜形貌调控 | 第35-55页 |
| 2.1 引言 | 第35-36页 |
| 2.2 二元溶剂对两步法钙钛矿薄膜形貌的控制 | 第36-47页 |
| 2.2.1 薄膜制备 | 第38页 |
| 2.2.2 薄膜表征 | 第38-39页 |
| 2.2.3 MAPbI_3钙钛矿薄膜形貌控制 | 第39-46页 |
| 2.2.4 MAPbI_3钙钛矿薄膜结晶质量测量 | 第46-47页 |
| 2.2.5 小结 | 第47页 |
| 2.3 真空退火制备高质量钙钛矿薄膜 | 第47-53页 |
| 2.3.1 薄膜制备 | 第48-49页 |
| 2.3.2 薄膜形貌表征 | 第49-50页 |
| 2.3.3 真空辅助热退火对钙钛矿薄膜形貌与结晶度的调控 | 第50-52页 |
| 2.3.4 小结 | 第52-53页 |
| 2.4 本章结论 | 第53-55页 |
| 3 钙钛矿薄膜的光电特性研究 | 第55-81页 |
| 3.1 引言 | 第55-56页 |
| 3.2 调控钙钛矿薄膜形貌对ASE的影响 | 第56-63页 |
| 3.2.1 ASE性能研究方法 | 第57-58页 |
| 3.2.2 二元溶剂法调控钙钛矿薄膜形貌对ASE的影响 | 第58-61页 |
| 3.2.3 真空辅助退火制备钙钛矿薄膜ASE器件性能研究 | 第61-63页 |
| 3.2.4 小结 | 第63页 |
| 3.3 MAPbI_3钙钛矿晶体结构随温度相变发光特性 | 第63-72页 |
| 3.3.1 真空辅助热退火增强钙钛矿温度相关相变光学性能 | 第64页 |
| 3.3.2 MAPbI_3钙钛矿晶体随温度相变的直接观察 | 第64-67页 |
| 3.3.3 钙钛矿温度相关相变光学特性的研究 | 第67-69页 |
| 3.3.4 激子结合能(Exciton Binding Energy)计算 | 第69-72页 |
| 3.3.5 小结 | 第72页 |
| 3.4 随温度相变对钙钛矿ASE特性的影响 | 第72-80页 |
| 3.4.1 变温时间分辨光谱测试方法 | 第73页 |
| 3.4.2 钙钛矿随温度相变对ASE性能的影响 | 第73-77页 |
| 3.4.3 不同晶相下ASE发射机理的讨论 | 第77-79页 |
| 3.4.4 小结 | 第79-80页 |
| 3.5 本章结论 | 第80-81页 |
| 4 基于石墨烯沟道的钙钛矿-PCBM体异质结光探测器 | 第81-99页 |
| 4.1 引言 | 第81-83页 |
| 4.2 器件制备与表征 | 第83-88页 |
| 4.2.1 大尺寸单层石墨稀湿法转移 | 第83-85页 |
| 4.2.2 光电导器件制备 | 第85页 |
| 4.2.3 测试与表征 | 第85-88页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第88-98页 |
| 4.4 本章结论 | 第98-99页 |
| 5 结论与展望 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-111页 |
| 附录A | 第111-115页 |
| 作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第115-119页 |
| 学位论文数据集 | 第119页 |
