| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 量子点概述 | 第10-13页 |
| 1.1.1 量子点的量子效应 | 第10-12页 |
| 1.1.2 量子点的主要性质 | 第12-13页 |
| 1.2 量子点的应用 | 第13-14页 |
| 1.3 量子点LED研究背景和发展 | 第14-17页 |
| 1.4 本论文工作的主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 QLED的工作原理及研究进展 | 第19-31页 |
| 2.1 QLED概述 | 第19-21页 |
| 2.1.1 QLED的结构 | 第19-20页 |
| 2.1.2 QLED的工作原理 | 第20页 |
| 2.1.3 QLED的制备工艺 | 第20-21页 |
| 2.2 QLED载流子传输层研究进展 | 第21-27页 |
| 2.2.1 电子传输层 | 第21-24页 |
| 2.2.2 空穴传输层 | 第24-26页 |
| 2.2.3 空穴注入层 | 第26-27页 |
| 2.3 QLED的基本参数 | 第27-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 全溶液法制备蓝光QLED及测试 | 第31-39页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 蓝光QLED器件结构的设计 | 第31-32页 |
| 3.3 纳米ZnO胶体的制备 | 第32-34页 |
| 3.3.1 实验试剂与实验设备 | 第32页 |
| 3.3.2 实验步骤 | 第32-34页 |
| 3.4 蓝光QLED器件的制备及测试 | 第34-38页 |
| 3.4.1 实验试剂与实验设备 | 第34-36页 |
| 3.4.2 QLED的制备流程 | 第36-37页 |
| 3.4.3 器件的测试 | 第37-38页 |
| 3.5 本章总结 | 第38-39页 |
| 第四章 各功能层结构及工艺对蓝光QLED性能的影响 | 第39-49页 |
| 4.1 引言 | 第39-40页 |
| 4.2 ITO表面处理对器件性能的影响 | 第40-41页 |
| 4.3 PEDOT:PSS空穴注入层改性对器件性能的影响 | 第41-43页 |
| 4.3.1 异丙醇改性对PEDOT:PSS膜层质量的影响 | 第42页 |
| 4.3.2 酸处理浓度对器件性能的影响 | 第42-43页 |
| 4.4 混合空穴传输层对器件性能的影响 | 第43-45页 |
| 4.5 量子点发光层厚度及不同配体对器件性能的影响 | 第45-46页 |
| 4.5.1 量子点层厚度对器件性能的影响 | 第45-46页 |
| 4.5.2 量子点配体链长对器件性能的影响 | 第46页 |
| 4.6 优化器件的制备与测试 | 第46-48页 |
| 4.7 本章总结 | 第48-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 总结 | 第49-50页 |
| 5.2 展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
