| 摘 要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 引 言 | 第9-27页 |
| 1.1 微波SiGe HBT及电路的发展状况 | 第9-15页 |
| 1.1.1 SiGe HBT的优势和应用领域 | 第9-12页 |
| 1.1.2 SiGe HBT器件的发展 | 第12-14页 |
| 1.1.3 SiGe HBT集成电路的进展 | 第14-15页 |
| 1.2 SiGe/Si薄膜外延的发展 | 第15-24页 |
| 1.2.1 SiGe/Si薄膜外延设备 | 第15-22页 |
| 1.2.2 组分均匀与组分渐变的SiGe薄膜的外延 | 第22-23页 |
| 1.2.3 SiGe/Si薄膜的图形外延和选择外延技术 | 第23-24页 |
| 1.3 SiGe HBT微波单片集成放大电路的发展概况 | 第24-26页 |
| 1.4 本论文的工作 | 第26-27页 |
| 第二章 UHV/CVD设备的设计原理与改进 | 第27-37页 |
| 2.1 UHV/CVD设备的外延与设计原理 | 第27-29页 |
| 2.2 UHV/CVD设备结构的改进 | 第29-31页 |
| 2.3 UHV/CVD设备石墨加热器设计的改进 | 第31-32页 |
| 2.4 设备改进后SiGe薄膜厚度和组分的均匀性 | 第32-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 大尺寸SIGE/SI薄膜外延与应变弛豫的研究 | 第37-56页 |
| 3.1 SiGe/Si薄膜的外延 | 第37-45页 |
| 3.1.1 SiGe/Si薄膜的外延方法 | 第37-41页 |
| 3.1.2 SiGe/Si薄膜的组分和生长速率与GeH4、B2H6流量的关系 | 第41-44页 |
| 3.1.3 SiGe/Si薄膜的组分和生长速率与生长温度的关系 | 第44-45页 |
| 3.1.4 SiGe/Si薄膜的掺杂浓度与B2H6流量的关系 | 第45页 |
| 3.2 SiGe/Si薄膜的外延机理分析 | 第45-48页 |
| 3.2.1 反应气体的吸附和脱附 | 第45-47页 |
| 3.2.2 SiGe/Si薄膜的组分分析 | 第47页 |
| 3.2.3 SiGe/Si薄膜的生长速率分析 | 第47-48页 |
| 3.3 SiGe/Si薄膜应变弛豫的研究 | 第48-55页 |
| 3.3.1 不同Ge组分分布的SiGe/Si薄膜的临界厚度分析 | 第49-51页 |
| 3.3.2 热处理对均匀组分SiGe/Si薄膜应变弛豫的影响 | 第51-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 UHV/CVD低温SI外延研究 | 第56-64页 |
| 4.1 在n~+-Si衬底上低温外延n~--Si的生长规律 | 第56-57页 |
| 4.2 低温Si外延工艺中As外扩的研究 | 第57-59页 |
| 4.3 低温外延S的质量表征 | 第59-61页 |
| 4.4 低温生长Si外延层的击穿电压分析 | 第61-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 可级联SIGE HBT微波单片放大电路的设计与制作 | 第64-96页 |
| 5.1 SiGe HBT微波单片放大电路的设计 | 第64-71页 |
| 5.1.1 SiGe HBT MMIC电路结构的设计 | 第64-65页 |
| 5.1.2 SiGe HBT MMIC电路中SiGe HBT的设计 | 第65-69页 |
| 5.1.3 SiGe HBT MMIC电路中电阻的设计 | 第69-70页 |
| 5.1.4 SiGe HBT MMIC电路的版图设计 | 第70-71页 |
| 5.2 SiGe HBT MMIC电路微波性能的模拟 | 第71-74页 |
| 5.3 SiGe HBT微波单片放大电路制作工艺的开发 | 第74-82页 |
| 5.3.1 SiGe HBT MMIC电路工艺参数的确定 | 第74-78页 |
| 5.3.2 SiGe HBT MMIC电路的非自对准台面制作工艺的开发 | 第78-82页 |
| 5.4 用非自对准台面工艺制作的SiGe HBT MMIC微波单片放大电路 | 第82-90页 |
| 5.4.1 电路中SiGe HBT器件的电学特性 | 第83-86页 |
| 5.4.2 SiGe HBT MMIC电路的交流特性 | 第86-88页 |
| 5.4.3 SiGe HBT MMIC电路流片结果的分析 | 第88-90页 |
| 5.5 用改进的非自对准台面工艺制作的SiGe HBT MMIC | 第90-95页 |
| 5.5.1 SiGe HBT MMIC电路的改进思路 | 第90-91页 |
| 5.5.2 非自对准台面电路制作工艺的改进 | 第91-93页 |
| 5.5.3 用改进的非自对准台面工艺制作的SiGe HBT MMIC | 第93-95页 |
| 5.6 本章小结 | 第95-96页 |
| 第六章 提高SIGE HBT器件频率特性的研究 | 第96-113页 |
| 6.1 SiGe HBT器件欧姆接触的改善 | 第96-97页 |
| 6.2 Ge组分渐变对SiGe HBT频率特性的影响 | 第97-109页 |
| 6.2.1 Ge组分渐变的SiGe/Si薄膜的外延 | 第97-98页 |
| 6.2.2 Ge组分渐变的SiGe/Si薄膜的应变弛豫 | 第98-100页 |
| 6.2.3 Ge组分分布对SiGe HBT频率特性的影响 | 第100-104页 |
| 6.2.4 Ge组分渐变的SiGe HBT器件的研制 | 第104-109页 |
| 6.2.4.1 B外扩对Ge组分渐变的HBT器件的影响 | 第104-105页 |
| 6.2.4.2 EB结处Ge组分的影响 | 第105-106页 |
| 6.2.4.3 Ge组分梯度不同的SiGe HBT器件 | 第106-107页 |
| 6.2.4.4 Ge组分梯度对SiGe HBT频率特性的影响 | 第107-109页 |
| 6.3 SiGe/Si选择外延初步研究 | 第109-112页 |
| 6.3.1 SiGe/Si单晶薄膜的成核时间 | 第109页 |
| 6.3.2 poly-SiGe薄膜的成核时间 | 第109-111页 |
| 6.3.3 SiGe/Si选择外延的初步试验 | 第111-112页 |
| 6.4 本章小结 | 第112-113页 |
| 第七章 SIGE HBT器件的抗辐照特性研究 | 第113-121页 |
| 7.1 SiGe HBT抗辐照性能的实验研究 | 第113-114页 |
| 7.2 SiGe HBT和Si BJT的抗辐照性能比较 | 第114-116页 |
| 7.3 SiGe HBT器件的抗辐照机理分析 | 第116-120页 |
| 7.4 本章小结 | 第120-121页 |
| 结论 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-129页 |
| 致谢及声明 | 第129-130页 |
| 个人简历、在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第130-131页 |
