| 作者简介 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| §1.1 引言 | 第12页 |
| §1.2 ZnO的性质及应用 | 第12-15页 |
| 1.2.1 ZnO的晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 ZnO的电子结构和能带 | 第13-14页 |
| 1.2.3 ZnO的缺陷 | 第14-15页 |
| §1.3 ZnO薄膜的制备方法 | 第15-17页 |
| 1.3.1 化学气相沉积法(CVD) | 第15-16页 |
| 1.3.2 磁控溅射法(MS) | 第16页 |
| 1.3.3 溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第16页 |
| 1.3.4 分子束外延法(MBE) | 第16页 |
| 1.3.5 超声喷雾热解法(USP) | 第16-17页 |
| §1.4 ZnO薄膜的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.4.1 Ⅲ-Ⅴ共掺 | 第18页 |
| 1.4.2 Na掺杂 | 第18页 |
| 1.4.3 其它p型掺杂 | 第18-19页 |
| §1.5 研究课题的提出及研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 超声喷雾热解法ZnO薄膜的制备及表征 | 第20-26页 |
| §2.1 ZnO薄膜的制备 | 第20-23页 |
| 2.1.1 超声喷雾热解法制备ZnO薄膜的成膜机理 | 第20-21页 |
| 2.1.2 实验药品及相关仪器 | 第21-22页 |
| 2.1.3 前驱体溶液的配置及衬底清洗 | 第22页 |
| 2.1.4 实验设备及薄膜制备过程 | 第22-23页 |
| §2.2 ZnO薄膜的表征 | 第23-26页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第23-24页 |
| 2.2.2 场发射扫描电镜(FESEM) | 第24页 |
| 2.2.3 荧光光谱仪(PL) | 第24页 |
| 2.2.4 霍尔效应仪 | 第24-25页 |
| 2.2.5 四探针直流电阻仪 | 第25-26页 |
| 第三章 衬底温度及种类对薄膜光电性能的影响 | 第26-38页 |
| §3.1 衬底温度对N-Al共掺杂ZnO薄膜质量的影响 | 第26-30页 |
| 3.1.1 结构分析 | 第26-27页 |
| 3.1.2 断面形貌及表面形貌分析 | 第27-29页 |
| 3.1.3 室温光致发光性能分析 | 第29-30页 |
| §3.2 衬底种类对N-Al共掺杂ZnO薄膜质量的影响 | 第30-33页 |
| 3.2.1 结构分析 | 第30-31页 |
| 3.2.2 原子力显微镜表面形貌分析 | 第31-33页 |
| 3.2.3 室温光致发光性能分析 | 第33页 |
| §3.3 掺铝浓度对N-Al共掺杂ZnO薄膜质量的影响 | 第33-37页 |
| 3.3.1 晶体结构分析 | 第34页 |
| 3.3.2 原子力显微镜表面形貌分析 | 第34-36页 |
| 3.3.3 光学性能分析 | 第36-37页 |
| 3.3.4 表面电阻率分析 | 第37页 |
| §3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 薄膜厚度对N-Al共掺杂ZnO薄膜的影响 | 第38-48页 |
| §4.1 N掺杂及N-Al共掺杂ZnO薄膜的机理 | 第38-39页 |
| §4.2 牛顿干涉环原理在薄膜厚度监控方面的可行性验证 | 第39-41页 |
| §4.3 薄膜厚度对N-Al共掺杂ZnO薄膜的形貌和光学性能的影响 | 第41-47页 |
| 4.3.1 XRD分析 | 第41-42页 |
| 4.3.2 FESEM表面形貌分析及元素分布 | 第42-44页 |
| 4.3.3 室温光致发光分析 | 第44-46页 |
| 4.3.4 电学性能分析 | 第46-47页 |
| §4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 ZnO电学性能研究及ZnO基透明导电薄膜的制备 | 第48-54页 |
| §5.1 ZnO薄膜的电学性能研究 | 第48-49页 |
| §5.2 ZnO:Al薄膜的制备及表征 | 第49-51页 |
| §5.3 ZnO:In透明导电薄膜的制备及表征 | 第51-53页 |
| §5.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 结论与展望 | 第54-56页 |
| §6.1 结论 | 第54-55页 |
| §6.2 展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
