| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第11-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-36页 |
| 1.1 压电材料发展与研究无铅压电材料的意义 | 第15-16页 |
| 1.2 无铅压电材料的发展、现状、种类及其结构、性能特点 | 第16-20页 |
| 1.2.1 Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3基无铅压电陶瓷材料 | 第16-17页 |
| 1.2.2 K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3基无铅压电陶瓷材料 | 第17-18页 |
| 1.2.3 铋层状结构无铅压电陶瓷材料 | 第18页 |
| 1.2.4 钨青铜结构无铅压电陶瓷材料 | 第18-19页 |
| 1.2.5 BaTiO_3基无铅压电陶瓷材料 | 第19-20页 |
| 1.3 BaTiO_3基无铅压电陶瓷的研究进展 | 第20-22页 |
| 1.4 (Ba_(1-x)Ca_x)(Ti_(1-y)Zr_y)O_3体系无铅压电陶瓷改性研究 | 第22-31页 |
| 1.4.1 (Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(0.90)Zr_(0.1))O_3基无铅压电陶瓷改性研究 | 第22-27页 |
| 1.4.2 (Ba_(0.99)Ca_(0.01))(Ti_(0.98)Zr_(0.02))O_3基无铅压电陶瓷改性研究 | 第27-29页 |
| 1.4.3 其它体系(Ba_(1-x)Ca_x)(Ti_(1-y)Zr_y)O_3无铅压电陶瓷改性研究 | 第29-31页 |
| 1.5 提高压电陶瓷性能的理论与技术 | 第31-34页 |
| 1.5.1 压电陶瓷“软”、“硬”掺杂技术 | 第31-32页 |
| 1.5.2 压电陶瓷低温烧结技术 | 第32页 |
| 1.5.3 压电陶瓷的离子位移理论与畴壁运动模型 | 第32-33页 |
| 1.5.4 准同型相界与多形态相变理论 | 第33-34页 |
| 1.6 本文研究思路和主要研究内容 | 第34-36页 |
| 第2章 样品的制备与测试方法 | 第36-41页 |
| 2.1 实验主要配方组成 | 第36-37页 |
| 2.2 样品制备设备、原料及工艺流程 | 第37-38页 |
| 2.3 实验样品的性能测试 | 第38-41页 |
| 2.3.1 样品的显微结构 | 第38页 |
| 2.3.2 样品的晶相结构 | 第38-39页 |
| 2.3.3 样品的的介电性能测试 | 第39页 |
| 2.3.4 样品的铁电性能测试 | 第39页 |
| 2.3.5 压电性能的测试 | 第39-40页 |
| 2.3.6 样品的阻抗测试 | 第40-41页 |
| 第3章 低温烧结助剂掺杂BCTZ陶瓷的性能及机理研究 | 第41-61页 |
| 3.1 引言 | 第41-42页 |
| 3.2 微量Ag_2O掺杂BCTZ陶瓷的结构、性能及机理研究 | 第42-50页 |
| 3.2.1 实验设计与制备 | 第42页 |
| 3.2.2 Ag_2O掺杂对BCTZ陶瓷的显微结构的影响 | 第42-46页 |
| 3.2.3 Ag_2O掺杂BCTZ陶瓷的介电性能及机理研究 | 第46-48页 |
| 3.2.4 Ag_2O掺杂BCTZ陶瓷的铁电性能及机理研究 | 第48-49页 |
| 3.2.5 Ag_2O掺杂对BCTZ陶瓷的压电性能的影响 | 第49-50页 |
| 3.3 微量MnO_2掺杂BCTZ陶瓷的结构、性能及机理研究 | 第50-59页 |
| 3.3.1 实验设计与制备 | 第50页 |
| 3.3.2 MnO_2掺杂对BCTZ陶瓷的显微结构的影响 | 第50-54页 |
| 3.3.3 MnO_2掺杂BCTZ陶瓷的介电性能及机理研究 | 第54-56页 |
| 3.3.4 MnO_2掺杂BCTZ陶瓷的铁电性能及机理研究 | 第56-57页 |
| 3.3.5 MnO_2掺杂对BCTZ陶瓷的压电性能的影响 | 第57-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第4章 半导体烧结助剂掺杂BCTZ陶瓷的性能及机理研究 | 第61-89页 |
| 4.1 引言 | 第61-62页 |
| 4.2 微量In_2O_3掺杂BCTZ陶瓷的结构、性能及机理研究 | 第62-70页 |
| 4.2.1 实验设计与制备 | 第62页 |
| 4.2.2 In_2O_3掺杂对BCTZ陶瓷的显微结构的影响 | 第62-66页 |
| 4.2.3 In_2O_3掺杂BCTZ陶瓷的介电性能及机理研究 | 第66-68页 |
| 4.2.4 In_2O_3掺杂BCTZ陶瓷的铁电性能及机理研究 | 第68-69页 |
| 4.2.5 In_2O_3掺杂对BCTZ陶瓷的压电性能的影响 | 第69-70页 |
| 4.3 微量Ga_2O_3掺杂BCTZ陶瓷的结构、性能及机理研究 | 第70-79页 |
| 4.3.1 实验设计与制备 | 第70页 |
| 4.3.2 Ga_2O_3掺杂对BCTZ陶瓷的显微结构的影响 | 第70-74页 |
| 4.3.3 Ga_2O_3掺杂BCTZ陶瓷的介电性能及机理研究 | 第74-76页 |
| 4.3.4 Ga_2O_3掺杂BCTZ陶瓷的铁电性能及机理研究 | 第76-78页 |
| 4.3.5 Ga_2O_3掺杂对BCTZ陶瓷的压电性能的影响 | 第78-79页 |
| 4.4 微量Sb_2O_3掺杂BCTZ陶瓷的结构、性能及机理研究 | 第79-86页 |
| 4.4.1 实验设计与制备 | 第79-80页 |
| 4.4.2 Sb_2O_3掺杂对BCTZ陶瓷的显微结构的影响 | 第80-82页 |
| 4.4.3 Sb_2O_3掺杂BCTZ陶瓷的介电性能及机理研究 | 第82-84页 |
| 4.4.4 Sb_2O_3掺杂BCTZ陶瓷的铁电性能及机理研究 | 第84-86页 |
| 4.4.5 Sb_2O_3掺杂对BCTZ陶瓷的压电性能的影响 | 第86页 |
| 4.5 本章小结 | 第86-89页 |
| 第5章 高居里点氧化物复合BCTZ陶瓷的性能及机理研究 | 第89-118页 |
| 5.1 引言 | 第89-91页 |
| 5.2 BiAlO_3复合BCTZ陶瓷的结构、性能及机理研究 | 第91-99页 |
| 5.2.1 实验设计与制备 | 第91页 |
| 5.2.2 BiAlO_3复合对BCTZ陶瓷的显微结构的影响 | 第91-95页 |
| 5.2.3 BiAlO_3复合BCTZ陶瓷的介电性能及机理研究 | 第95-96页 |
| 5.2.4 BiAlO_3复合BCTZ陶瓷的铁电性能及机理研究 | 第96-98页 |
| 5.2.5 BiAlO_3复合对BCTZ陶瓷的压电性能的影响 | 第98-99页 |
| 5.3 BiYbO_3复合BCTZ陶瓷的结构、性能及机理研究 | 第99-108页 |
| 5.3.1 实验设计与制备 | 第99页 |
| 5.3.2 BiYbO_3复合对BCTZ陶瓷的显微结构的影响 | 第99-102页 |
| 5.3.3 BiYbO_3复合BCTZ陶瓷的介电性能及机理研究 | 第102-104页 |
| 5.3.4 BiYbO_3复合BCTZ陶瓷的铁电性能及机理研究 | 第104-107页 |
| 5.3.5 BiYbO_3复合对BCTZ陶瓷的压电性能的影响 | 第107-108页 |
| 5.4 Ba(Cu_(0.5)W_(0.5))O_3复合BCTZ陶瓷的结构、性能及机理研究 | 第108-115页 |
| 5.4.1 实验设计与制备 | 第108页 |
| 5.4.2 Ba(Cu_(0.5)W_(0.5))O_3复合对BCTZ陶瓷的显微结构的影响 | 第108-112页 |
| 5.4.3 Ba(Cu_(0.5)W_(0.5))O_3复合BCTZ陶瓷的介电性能及机理研究 | 第112-113页 |
| 5.4.4 Ba(Cu_(0.5)W_(0.5))O_3复合BCTZ陶瓷的铁电性能及机理研究 | 第113-114页 |
| 5.4.5 Ba(Cu_(0.5)W_(0.5))O_3复合对BCTZ陶瓷的压电性能的影响 | 第114-115页 |
| 5.7 本章小结 | 第115-118页 |
| 第6章 BCTZ99基陶瓷的掺杂改性及机理研究 | 第118-145页 |
| 6.1 引言 | 第118页 |
| 6.2 微量In_2O_3掺杂BCTZ99陶瓷的结构、性能及机理研究 | 第118-127页 |
| 6.2.1 实验设计与制备 | 第118-119页 |
| 6.2.2 In_2O_3掺杂对BCTZ99陶瓷的显微结构的影响 | 第119-123页 |
| 6.2.3 In_2O_3掺杂BCTZ99陶瓷的介电性能及机理研究 | 第123-125页 |
| 6.2.4 In_2O_3 掺杂BCTZ99陶瓷的铁电性能及机理研究 | 第125-126页 |
| 6.2.5 In_2O_3掺杂对BCTZ99陶瓷的压电性能的影响 | 第126-127页 |
| 6.3 微量Ga_2O_3掺杂BCTZ99陶瓷的结构、性能及机理研究 | 第127-136页 |
| 6.3.1 实验设计与制备 | 第127页 |
| 6.3.2 Ga_2O_3掺杂对BCTZ99陶瓷的显微结构的影响 | 第127-131页 |
| 6.3.3 Ga_2O_3掺杂BCTZ99陶瓷的介电性能及机理研究 | 第131-133页 |
| 6.3.4 Ga_2O_3掺杂BCTZ99陶瓷的铁电性能及机理研究 | 第133-135页 |
| 6.3.5 Ga_2O_3掺杂对BCTZ99陶瓷的压电性能的影响 | 第135-136页 |
| 6.4 Ba(Cu_(0.5)W_(0.5))O_3复合BCTZ99陶瓷的结构、性能及机理研究 | 第136-143页 |
| 6.4.1 实验设计与制备 | 第136页 |
| 6.4.2 Ba(Cu_(0.5)W_(0.5))O_3复合对BCTZ99陶瓷的显微结构的影响 | 第136-139页 |
| 6.4.3 Ba(Cu_(0.5)W_(0.5))O_3复合BCTZ99陶瓷的介电性能及机理研究 | 第139-141页 |
| 6.4.4 Ba(Cu_(0.5)W_(0.5))O_3复合BCTZ99陶瓷的铁电性能及机理研究 | 第141-142页 |
| 6.4.5 Ba(Cu_(0.5)W_(0.5))O_3复合对BCTZ99陶瓷的压电性能的影响 | 第142-143页 |
| 6.5 本章小结 | 第143-145页 |
| 第7章 BCTZ和BCTZ99基陶瓷的掺杂机理分析 | 第145-159页 |
| 7.1 引言 | 第145页 |
| 7.2 In_2O_3掺杂BCTZ和BCTZ99陶瓷的性能及机理分析 | 第145-150页 |
| 7.2.1 In_2O_3掺杂BCTZ和BCTZ99陶瓷的介电频率及机理分析 | 第145-147页 |
| 7.2.2 In_2O_3掺杂BCTZ和BCTZ99陶瓷的阻抗频率及机理分析 | 第147-148页 |
| 7.2.3 In_2O_3掺杂BCTZ和BCTZ99陶瓷的弥散相变及机理分析 | 第148-149页 |
| 7.2.4 In_2O_3掺杂BCTZ和BCTZ99陶瓷的d_(33)和k_p与温度的关系 | 第149-150页 |
| 7.3 Ga_2O_3掺杂BCTZ和BCTZ99陶瓷的性能及机理分析 | 第150-154页 |
| 7.3.1 Ga_2O_3掺杂BCTZ和BCTZ99陶瓷的介电频率及机理分析 | 第150-151页 |
| 7.3.2 Ga_2O_3掺杂BCTZ和BCTZ99陶瓷的阻抗频率及机理分析 | 第151-152页 |
| 7.3.3 Ga_2O_3掺杂BCTZ和BCTZ99陶瓷的弥散相变及机理分析 | 第152-153页 |
| 7.3.4 Ga_2O_3掺杂BCTZ和BCTZ99陶瓷的d_(33)和k_p与温度的关系 | 第153-154页 |
| 7.4 Ba(Cu_(0.5)W_(0.5))O_3复合BCTZ和BCTZ99陶瓷的性能及机理分析 | 第154-158页 |
| 7.4.1 Ba(Cu_(0.5)W_(0.5))O_3复合BCTZ和BCTZ99陶瓷的介电频率及机理分析 | 第154-155页 |
| 7.4.2 Ba(Cu_(0.5)W_(0.5))O_3复合BCTZ和BCTZ99陶瓷的阻抗频率及机理分析 | 第155-156页 |
| 7.4.3 Ba(Cu_(0.5)W_(0.5))O_3复合BCTZ和BCTZ99陶瓷的弥散相变及机理分析 | 第156-157页 |
| 7.4.4 Ba(Cu_(0.5)W_(0.5))O_3复合BCTZ和BCTZ99陶瓷的d_(33)和k_p与温度的关系 | 第157-158页 |
| 7.5 本章小结 | 第158-159页 |
| 第8章 结论 | 第159-162页 |
| 参考文献 | 第162-176页 |
| 攻读博士学位期间主要的研究成果目录 | 第176-178页 |
| 致谢 | 第178页 |
