| 论文创新点 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第14-30页 |
| 1.1 热电效应概述 | 第14-17页 |
| 1.2 热电器件的工作原理 | 第17-18页 |
| 1.3 材料的热电优值 | 第18-20页 |
| 1.4 Bi基热电材料的研究进展 | 第20-29页 |
| 1.4.1 Bi基块体热电材料 | 第20-24页 |
| 1.4.2 Bi基低维热电材料 | 第24-27页 |
| 1.4.3 拓扑绝缘体和热电材料 | 第27-29页 |
| 1.5 本论文的研究目的和研究内容 | 第29-30页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第30-47页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第30-34页 |
| 2.2 准粒子近似 | 第34-35页 |
| 2.3 范德瓦尔斯相互作用 | 第35-36页 |
| 2.4 Wannier函数 | 第36-38页 |
| 2.5 Boltzmann方程 | 第38-44页 |
| 2.5.1 电子的Boltzmann输运方程 | 第38-42页 |
| 2.5.2 声子的Boltzmann输运方程 | 第42-44页 |
| 2.6 平衡分子动力学方法 | 第44-46页 |
| 2.7 计算流程图 | 第46-47页 |
| 第三章 范德瓦尔斯修正和准粒子效应对块体Bi_2Te_3热电性能的影响 | 第47-59页 |
| 3.1 引言 | 第47-49页 |
| 3.2 计算细节 | 第49页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第49-58页 |
| 3.3.1 考虑范德瓦尔斯相互作用后的Bi_2Te_3的结构特性 | 第49-51页 |
| 3.3.2 考虑范德瓦尔斯相互作用后的Bi_2Te_3的电子特性 | 第51-53页 |
| 3.3.3 考虑准粒子效应后Bi_2Te_3的电子特性 | 第53-55页 |
| 3.3.4 考虑GW近似后Bi_2Te_3的输运性质 | 第55-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 Bi(111)单层结构的热电性能 | 第59-72页 |
| 4.1 引言 | 第59-60页 |
| 4.2 计算细节 | 第60-61页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第61-70页 |
| 4.3.1 Bi(111)单层的结构及其稳定性 | 第61-62页 |
| 4.3.2 Bi(111)单层的电子结构及电输运特性 | 第62-65页 |
| 4.3.3 Bi(111)单层的热输运性质 | 第65-67页 |
| 4.3.4 Bi(111)单层的热电优值 | 第67-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 第五章 Bi(110)单层结构的热电性能 | 第72-82页 |
| 5.1 引言 | 第72页 |
| 5.2 计算细节 | 第72-73页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第73-81页 |
| 5.3.1 Bi(110)片层的结构和热输运性质 | 第73-75页 |
| 5.3.2 Bi(110)单层的电子特性 | 第75-76页 |
| 5.3.3 Bi(110)单层的热电输运性质 | 第76-81页 |
| 5.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 第六章 利用拓扑边缘态调控Bi纳米带的热电性能 | 第82-93页 |
| 6.1 引言 | 第82-83页 |
| 6.2 计算细节 | 第83页 |
| 6.3 结果和讨论 | 第83-92页 |
| 6.4 本章小结 | 第92-93页 |
| 第七章 总结和展望 | 第93-97页 |
| 7.1 全文总结 | 第93-95页 |
| 7.2 未来工作展望 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-114页 |
| 攻读博士学位期间的科研成果目录 | 第114-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
