| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-13页 |
| 1.2 GaAs/Si异变外延研究进展 | 第13-18页 |
| 1.2.1 GaAs/Si异变外延难点 | 第13-15页 |
| 1.2.2 GaAs/Si异变外延研究进展 | 第15-18页 |
| 1.3 Si图形衬底上GaAs外延研究进展 | 第18-21页 |
| 1.3.1 选择方面比捕获 | 第19-20页 |
| 1.3.2 侧向外延 | 第20-21页 |
| 1.4 论文结构安排 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 GaAs/Si材料制备及表征 | 第26-40页 |
| 2.1 金属有机化学气相沉积 | 第26-30页 |
| 2.1.1 MOCVD系统简介 | 第26-28页 |
| 2.1.2 GaAs/Si生长调节 | 第28-30页 |
| 2.2 外延层的缺陷 | 第30-33页 |
| 2.2.1 位错 | 第30-31页 |
| 2.2.2 堆叠层错 | 第31-32页 |
| 2.2.3 孪晶 | 第32页 |
| 2.2.4 反相畴 | 第32-33页 |
| 2.3 外延层质量表征技术 | 第33-38页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪 | 第33-34页 |
| 2.3.2 荧光光谱仪 | 第34-35页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第35-37页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜 | 第37页 |
| 2.3.5 透射电子显微镜 | 第37-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 第三章 SiO_2掩膜Si(001)纳米图形衬底的设计和制作 | 第40-53页 |
| 3.1 纳米图形衬底的结构设计 | 第40-43页 |
| 3.1.1 条型图形衬底介绍 | 第40-41页 |
| 3.1.2 孔型图形衬底介绍 | 第41-42页 |
| 3.1.3 图形衬底尺寸设定 | 第42-43页 |
| 3.2 纳米图形衬底的制备技术 | 第43-48页 |
| 3.2.1 掩膜生长 | 第43-44页 |
| 3.2.2 光刻 | 第44-47页 |
| 3.2.3 刻蚀 | 第47-48页 |
| 3.3 SiO_2掩膜Si纳米图形衬底生长前的表面处理 | 第48-50页 |
| 3.3.1 残留光刻胶的去除 | 第48-49页 |
| 3.3.2 空气尘埃的去除 | 第49-50页 |
| 3.3.3 图形窗口内SiO_2的去除 | 第50页 |
| 3.3.4 种子层自氧化物的去除 | 第50页 |
| 3.3.5 干法刻蚀后损伤层的去除 | 第50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第四章 条型纳米Si (001)衬底上GaAs外延生长研究 | 第53-74页 |
| 4.1 选区外延生长研究 | 第53-56页 |
| 4.2 温度和Ⅴ/Ⅲ比对GaAs横向生长合并的影响 | 第56-59页 |
| 4.3 有种子层纳米Si条型图形衬底上GaAs的外延生长研究 | 第59-70页 |
| 4.3.1 选区外延生长阶段 | 第60-61页 |
| 4.3.2 横向合并生长阶段 | 第61-65页 |
| 4.3.3 平滑生长阶段 | 第65-68页 |
| 4.3.4 外延层质量的表征与分析 | 第68-70页 |
| 4.4 有种子层纳米Si孔型图形衬底上GaAs的外延生长研究 | 第70-71页 |
| 4.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 第五章 总结和展望 | 第74-76页 |
| 5.1 总结 | 第74-75页 |
| 5.2 展望 | 第75-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第76页 |
