应用于光通信的高速大功率LED的研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 光纤通信系统的组成 | 第11页 |
| 1.2 LED在光纤通信中的应用 | 第11-12页 |
| 1.3 LED的发光原理 | 第12页 |
| 1.4 过剩载流子的复合 | 第12-15页 |
| 1.5 LED的调制特性 | 第15-17页 |
| 1.6 国内外研究现状 | 第17页 |
| 1.7 发光晶体管(LET)和双波段LED | 第17-18页 |
| 1.8 小结 | 第18-19页 |
| 第2章 仿真软件的介绍 | 第19-32页 |
| 2.1 建模 | 第19页 |
| 2.2 LED的仿真 | 第19-25页 |
| 2.2.1 LED的稳态仿真 | 第19-24页 |
| 2.2.2 LED的瞬态仿真 | 第24-25页 |
| 2.3 仿真研究异质结和量子阱对LED特性的影响 | 第25-31页 |
| 2.3.1 异质结LED的仿真 | 第25-28页 |
| 2.3.2 量子阱LED的仿真 | 第28-31页 |
| 2.4 小结 | 第31-32页 |
| 第3章 发光晶体管LET的仿真研究 | 第32-46页 |
| 3.1 功率大小、对比度与响应速度的关系 | 第32-33页 |
| 3.2 LET结构合理性验证 | 第33-35页 |
| 3.2.1 LET结构介绍 | 第33页 |
| 3.2.2 合理性验证 | 第33-34页 |
| 3.2.3 HBT光功率的上升沿下降沿 | 第34-35页 |
| 3.3 放大系数β的意义 | 第35-36页 |
| 3.4 AlGaAs材料HBT的仿真 | 第36-42页 |
| 3.4.1 通过有源区厚度改变β | 第36-39页 |
| 3.4.2 通过调节掺杂改变β | 第39-41页 |
| 3.4.3 通过能带控制法改变β | 第41-42页 |
| 3.5 AlGaInP材料LET的仿真 | 第42-45页 |
| 3.6 小结 | 第45-46页 |
| 第4章 双量子阱模型的设想与仿真 | 第46-56页 |
| 4.1 理论分析 | 第46-48页 |
| 4.2 仿真验证 | 第48-54页 |
| 4.3 量子阱间距d对调制速度的影响 | 第54-55页 |
| 4.4 小结 | 第55-56页 |
| 第5章 总结与展望 | 第56-59页 |
| 5.1 课题总结 | 第56-57页 |
| 5.2 课题展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
