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超薄晶硅太阳能电池的研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
1 绪论第11-19页
    1.1 太阳能电池研究的意义第11-13页
    1.2 太阳电池简介第13-16页
        1.2.1 太阳电池发展状况简介第13-14页
        1.2.2 太阳能电池分类第14-16页
    1.3 超薄晶硅太阳能电池简介第16-17页
    1.4 本文的研究意义第17-18页
    1.5 本文的内容概述第18-19页
2 晶硅太阳能电池及原理第19-25页
    2.1 晶硅太阳电池的结构第19-20页
    2.2 晶体硅太阳电池的原理第20-22页
    2.3 晶硅太阳能电池性能参数第22-25页
        2.3.1 晶硅太阳能电池的电压-电流特性第22-24页
        2.3.2 晶硅太阳能电池的填充因子和光电转换效率第24-25页
3 超薄晶硅片的制备和参数研究第25-39页
    3.1 超薄晶硅片制备过程少子寿命的研究第25-29页
        3.1.1 样品准备及检测原理第25-26页
        3.1.2 结果与讨论第26-29页
    3.2 施主型杂质对晶硅片少子衰减过程的影响第29-39页
        3.2.1 计算模型第30-31页
        3.2.2 结果与讨论第31-34页
        3.2.3 施主型陷阱参数对少子衰减过程的影响第34-35页
        3.2.4 施主型复合中心参数对少子衰减过程的影响第35-36页
        3.2.5 施主型电子陷阱和复合中心共存对少子衰减过程的影响第36-39页
4 超薄晶硅电池参数理论优化第39-57页
    4.1 超薄晶硅太阳电池上表面减反射膜(ARC)的研究第39-44页
        4.1.1 单层、双层减反射膜优化设计及光吸收效果评价第39-40页
        4.1.2 双层减反射膜对晶硅太阳电池输出特性影响的综合评价与分析第40-44页
    4.2 超薄晶硅太阳电池光学陷光结构优化第44-50页
        4.2.1 理论模型第46-47页
        4.2.2 计算结果第47-50页
    4.3 超薄晶硅太阳电池背反镜的吸收损耗第50-57页
        4.3.1 数值计算方法和电池结构模型第51-52页
        4.3.2 光场的入射角和Ag BR的吸收损耗第52-53页
        4.3.3 结果与讨论第53-57页
5 超薄晶硅电池制备及其中间参数测试分析第57-72页
    5.1 常规晶硅太阳电池的制备基本工艺第57-61页
    5.2 超薄晶硅太阳能电池制备主要设备及原料第61-62页
    5.3 超薄晶硅太阳能电池制备新工艺第62-67页
        5.3.1 超薄晶硅片的制备第63页
        5.3.2 扩散工艺第63-65页
        5.3.3 上表面减反射膜(ARC)和钝化层制备第65页
        5.3.4 电极的制备第65-67页
    5.4 超薄晶硅太阳电池制备过程中参数测试与分析第67-72页
        5.4.1 超薄晶硅太阳电池结深与表面杂质浓度的测试第67-69页
        5.4.2 超薄晶硅太阳电池I-V特性测试与分析第69-72页
6 结论与展望第72-74页
    6.1 结论第72-73页
    6.2 本文主要创新点第73页
    6.3 展望第73-74页
参考文献第74-81页
作者攻读硕士学位期间的学术成果第81-83页

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