摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
1 绪论 | 第11-19页 |
1.1 太阳能电池研究的意义 | 第11-13页 |
1.2 太阳电池简介 | 第13-16页 |
1.2.1 太阳电池发展状况简介 | 第13-14页 |
1.2.2 太阳能电池分类 | 第14-16页 |
1.3 超薄晶硅太阳能电池简介 | 第16-17页 |
1.4 本文的研究意义 | 第17-18页 |
1.5 本文的内容概述 | 第18-19页 |
2 晶硅太阳能电池及原理 | 第19-25页 |
2.1 晶硅太阳电池的结构 | 第19-20页 |
2.2 晶体硅太阳电池的原理 | 第20-22页 |
2.3 晶硅太阳能电池性能参数 | 第22-25页 |
2.3.1 晶硅太阳能电池的电压-电流特性 | 第22-24页 |
2.3.2 晶硅太阳能电池的填充因子和光电转换效率 | 第24-25页 |
3 超薄晶硅片的制备和参数研究 | 第25-39页 |
3.1 超薄晶硅片制备过程少子寿命的研究 | 第25-29页 |
3.1.1 样品准备及检测原理 | 第25-26页 |
3.1.2 结果与讨论 | 第26-29页 |
3.2 施主型杂质对晶硅片少子衰减过程的影响 | 第29-39页 |
3.2.1 计算模型 | 第30-31页 |
3.2.2 结果与讨论 | 第31-34页 |
3.2.3 施主型陷阱参数对少子衰减过程的影响 | 第34-35页 |
3.2.4 施主型复合中心参数对少子衰减过程的影响 | 第35-36页 |
3.2.5 施主型电子陷阱和复合中心共存对少子衰减过程的影响 | 第36-39页 |
4 超薄晶硅电池参数理论优化 | 第39-57页 |
4.1 超薄晶硅太阳电池上表面减反射膜(ARC)的研究 | 第39-44页 |
4.1.1 单层、双层减反射膜优化设计及光吸收效果评价 | 第39-40页 |
4.1.2 双层减反射膜对晶硅太阳电池输出特性影响的综合评价与分析 | 第40-44页 |
4.2 超薄晶硅太阳电池光学陷光结构优化 | 第44-50页 |
4.2.1 理论模型 | 第46-47页 |
4.2.2 计算结果 | 第47-50页 |
4.3 超薄晶硅太阳电池背反镜的吸收损耗 | 第50-57页 |
4.3.1 数值计算方法和电池结构模型 | 第51-52页 |
4.3.2 光场的入射角和Ag BR的吸收损耗 | 第52-53页 |
4.3.3 结果与讨论 | 第53-57页 |
5 超薄晶硅电池制备及其中间参数测试分析 | 第57-72页 |
5.1 常规晶硅太阳电池的制备基本工艺 | 第57-61页 |
5.2 超薄晶硅太阳能电池制备主要设备及原料 | 第61-62页 |
5.3 超薄晶硅太阳能电池制备新工艺 | 第62-67页 |
5.3.1 超薄晶硅片的制备 | 第63页 |
5.3.2 扩散工艺 | 第63-65页 |
5.3.3 上表面减反射膜(ARC)和钝化层制备 | 第65页 |
5.3.4 电极的制备 | 第65-67页 |
5.4 超薄晶硅太阳电池制备过程中参数测试与分析 | 第67-72页 |
5.4.1 超薄晶硅太阳电池结深与表面杂质浓度的测试 | 第67-69页 |
5.4.2 超薄晶硅太阳电池I-V特性测试与分析 | 第69-72页 |
6 结论与展望 | 第72-74页 |
6.1 结论 | 第72-73页 |
6.2 本文主要创新点 | 第73页 |
6.3 展望 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-81页 |
作者攻读硕士学位期间的学术成果 | 第81-83页 |