| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 InN材料的基本特性 | 第13-15页 |
| 1.2.1 InN材料的晶体结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 InN材料的电学特性 | 第14-15页 |
| 1.2.3 InN材料的光学特性 | 第15页 |
| 1.3 InN材料的研究进展及应用 | 第15-22页 |
| 1.3.1 InN薄膜材料 | 第15-17页 |
| 1.3.2 InN一维纳米材料 | 第17-18页 |
| 1.3.3 InN的应用 | 第18-22页 |
| 1.4 InN纳米柱材料的制备方法 | 第22-23页 |
| 1.4.1 分子束外延技术 | 第22页 |
| 1.4.2 化学气相沉积技术 | 第22-23页 |
| 1.4.3 热蒸发法 | 第23页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 InN材料的分子束外延设备及样品表征方法 | 第25-32页 |
| 2.1 分子束外延的基本原理 | 第25-26页 |
| 2.2 射频等离子体分子束外延设备 | 第26-29页 |
| 2.2.1 超高真空系统 | 第26-27页 |
| 2.2.2 样品台加热系统 | 第27页 |
| 2.2.3 固体束源炉系统 | 第27页 |
| 2.2.4 射频等离子体源(RF Plasma source)系统 | 第27-28页 |
| 2.2.5 反射式高能电子衍射(RHEED)系统 | 第28-29页 |
| 2.3 样品表征方法 | 第29-32页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第29页 |
| 2.3.2 X射线衍射(XRD) | 第29-30页 |
| 2.3.3 光致发光谱(Photoluminescence spectra) | 第30-31页 |
| 2.3.4 反射高能电子衍射(RHEED | 第31-32页 |
| 第三章 基于VLS机制的InN纳米柱分子束外延生长及其物理特性表征 | 第32-46页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 半导体纳米柱的生长机理 | 第32-34页 |
| 3.2.1 气-液-固(Vapor-Liquid-Solid, VLS)生长机理 | 第33-34页 |
| 3.2.2 气-固(Vapor-Solid, VS)生长机理 | 第34页 |
| 3.2.3 模板法 | 第34页 |
| 3.3 InN纳米柱外延生长的工艺流程 | 第34-36页 |
| 3.3.1 衬底的清洗与传输 | 第35页 |
| 3.3.2 催化剂的沉积 | 第35-36页 |
| 3.3.3 InN纳米柱的外延生长 | 第36页 |
| 3.4 温度对制备InN纳米柱阵列的影响 | 第36-39页 |
| 3.5 大尺寸催化剂诱导对制备In N纳米柱阵列的影响 | 第39-40页 |
| 3.6 对制备InN纳米柱阵列的生长条件的初步优化 | 第40-41页 |
| 3.7 小尺寸催化剂诱导对制备In N纳米柱阵列的影响 | 第41-44页 |
| 3.8 小结 | 第44-46页 |
| 第四章 基于VS机制的InN纳米柱MBE生长及其物理特性表征 | 第46-53页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 衬底的氮化 | 第46页 |
| 4.3 InN纳米柱外延生长的工艺流程 | 第46-47页 |
| 4.4 N_2流量对InN纳米柱物理特性的影响 | 第47-52页 |
| 4.4.1 SEM分析 | 第47-48页 |
| 4.4.2 RHEED分析 | 第48-49页 |
| 4.4.3 XRD分析 | 第49-51页 |
| 4.4.4 PL谱分析 | 第51-52页 |
| 4.5 小结 | 第52-53页 |
| 第五章 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
