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纳米工程恢复SnO2和In2O3带边紫外发光及吸收的研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第12-22页
    1.1 引言第12-14页
    1.2 SnO_2材料的性质第14-15页
        1.2.1 SnO_2材料的结构性质第14页
        1.2.2 SnO_2材料的光学性质第14-15页
        1.2.3 SnO_2材料的电学性质第15页
    1.3 SnO_2材料的研究进展第15-17页
    1.4 In_2O_3材料的性质第17-18页
        1.4.1 In_2O_3材料的结构性质第17页
        1.4.2 In_2O_3材料的光学性质第17-18页
        1.4.3 In_2O_3材料的电学性质第18页
    1.5 In_2O_3材料的研究进展第18-21页
    1.6 本课题的工作安排第21-22页
第二章 薄膜的制备技术及性能表征方法第22-33页
    2.1 薄膜的制备技术第22-25页
        2.1.1 磁控溅射技术第22-24页
        2.1.2 其它几种镀膜技术第24-25页
    2.2 薄膜性能的表征方法第25-33页
        2.2.1 X射线衍射谱(XRD)第25-26页
        2.2.2 拉曼光谱(Raman Spectra)第26-27页
        2.2.3 场发射扫描电子显微镜(FESEM)第27-29页
        2.2.4 透射电子显微镜(TEM)第29页
        2.2.5 紫外-可见吸收光谱第29-30页
        2.2.6 光致发光光谱仪第30-31页
        2.2.7 霍尔效应测试系统第31-33页
第三章 纳米工程恢复SnO_2带边紫外发光及其在紫外发光领域的应用第33-45页
    3.1 引言第33页
    3.2 SnO_2薄膜的制备第33-34页
    3.3 SnO_2薄膜结构和形貌分析第34-38页
        3.3.1 退火温度对SnO_2薄膜结构的影响第34-36页
        3.3.2 退火温度对SnO_2薄膜形貌的影响第36-38页
    3.4 SnO_2纳米晶/非晶杂化薄膜的光学性质第38-40页
        3.4.1 SnO_2纳米晶/非晶杂化薄膜的吸收光谱第38-39页
        3.4.2 SnO_2纳米晶/非晶杂化薄膜的带边紫外发光性质第39-40页
    3.5 SnO_2薄膜的电学性质第40-41页
    3.6 基于SnO_2纳米晶/非晶杂化薄膜的紫外发光二极管第41-43页
        3.6.1 基于SnO_2纳米晶/非晶杂化薄膜的紫外LED的制备第41-42页
        3.6.2 基于SnO_2纳米晶/非晶杂化薄膜的紫外LED的性能研究第42-43页
    3.7 本章小结第43-45页
第四章 In_2O_3纳米晶/非晶杂化薄膜的光学性质及其在紫外探测领域的应用第45-53页
    4.1 In_2O_3纳米晶/非晶杂化薄膜的制备第45页
    4.2 In_2O_3纳米晶/非晶杂化薄膜的结构和形貌分析第45-47页
    4.3 In_2O_3纳米晶/非晶杂化薄膜的光学性质第47-48页
        4.3.1 纳米晶/非晶杂化结构对In_2O_3薄膜光学带隙的影响第47-48页
        4.3.2 纳米晶/非晶杂化结构对In_2O_3薄膜光致发光的影响第48页
    4.4 基于In_2O_3纳米晶/非晶杂化薄膜的紫外探测器第48-50页
        4.4.1 基于In_2O_3纳米晶/非晶杂化薄膜的紫外探测器的制备第48-50页
        4.4.2 基于In_2O_3纳米晶/非晶杂化薄膜的紫外探测器的性能研究第50页
    4.5 In_2O_3纳米晶打破偶极跃迁禁戒规则的物理机制第50-51页
    4.6 本章小结第51-53页
第五章 全文总结与研究展望第53-54页
参考文献第54-61页
攻读硕士期间发表学术论文第61-62页
致谢第62页

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