摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第12-22页 |
1.1 引言 | 第12-14页 |
1.2 SnO_2材料的性质 | 第14-15页 |
1.2.1 SnO_2材料的结构性质 | 第14页 |
1.2.2 SnO_2材料的光学性质 | 第14-15页 |
1.2.3 SnO_2材料的电学性质 | 第15页 |
1.3 SnO_2材料的研究进展 | 第15-17页 |
1.4 In_2O_3材料的性质 | 第17-18页 |
1.4.1 In_2O_3材料的结构性质 | 第17页 |
1.4.2 In_2O_3材料的光学性质 | 第17-18页 |
1.4.3 In_2O_3材料的电学性质 | 第18页 |
1.5 In_2O_3材料的研究进展 | 第18-21页 |
1.6 本课题的工作安排 | 第21-22页 |
第二章 薄膜的制备技术及性能表征方法 | 第22-33页 |
2.1 薄膜的制备技术 | 第22-25页 |
2.1.1 磁控溅射技术 | 第22-24页 |
2.1.2 其它几种镀膜技术 | 第24-25页 |
2.2 薄膜性能的表征方法 | 第25-33页 |
2.2.1 X射线衍射谱(XRD) | 第25-26页 |
2.2.2 拉曼光谱(Raman Spectra) | 第26-27页 |
2.2.3 场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第27-29页 |
2.2.4 透射电子显微镜(TEM) | 第29页 |
2.2.5 紫外-可见吸收光谱 | 第29-30页 |
2.2.6 光致发光光谱仪 | 第30-31页 |
2.2.7 霍尔效应测试系统 | 第31-33页 |
第三章 纳米工程恢复SnO_2带边紫外发光及其在紫外发光领域的应用 | 第33-45页 |
3.1 引言 | 第33页 |
3.2 SnO_2薄膜的制备 | 第33-34页 |
3.3 SnO_2薄膜结构和形貌分析 | 第34-38页 |
3.3.1 退火温度对SnO_2薄膜结构的影响 | 第34-36页 |
3.3.2 退火温度对SnO_2薄膜形貌的影响 | 第36-38页 |
3.4 SnO_2纳米晶/非晶杂化薄膜的光学性质 | 第38-40页 |
3.4.1 SnO_2纳米晶/非晶杂化薄膜的吸收光谱 | 第38-39页 |
3.4.2 SnO_2纳米晶/非晶杂化薄膜的带边紫外发光性质 | 第39-40页 |
3.5 SnO_2薄膜的电学性质 | 第40-41页 |
3.6 基于SnO_2纳米晶/非晶杂化薄膜的紫外发光二极管 | 第41-43页 |
3.6.1 基于SnO_2纳米晶/非晶杂化薄膜的紫外LED的制备 | 第41-42页 |
3.6.2 基于SnO_2纳米晶/非晶杂化薄膜的紫外LED的性能研究 | 第42-43页 |
3.7 本章小结 | 第43-45页 |
第四章 In_2O_3纳米晶/非晶杂化薄膜的光学性质及其在紫外探测领域的应用 | 第45-53页 |
4.1 In_2O_3纳米晶/非晶杂化薄膜的制备 | 第45页 |
4.2 In_2O_3纳米晶/非晶杂化薄膜的结构和形貌分析 | 第45-47页 |
4.3 In_2O_3纳米晶/非晶杂化薄膜的光学性质 | 第47-48页 |
4.3.1 纳米晶/非晶杂化结构对In_2O_3薄膜光学带隙的影响 | 第47-48页 |
4.3.2 纳米晶/非晶杂化结构对In_2O_3薄膜光致发光的影响 | 第48页 |
4.4 基于In_2O_3纳米晶/非晶杂化薄膜的紫外探测器 | 第48-50页 |
4.4.1 基于In_2O_3纳米晶/非晶杂化薄膜的紫外探测器的制备 | 第48-50页 |
4.4.2 基于In_2O_3纳米晶/非晶杂化薄膜的紫外探测器的性能研究 | 第50页 |
4.5 In_2O_3纳米晶打破偶极跃迁禁戒规则的物理机制 | 第50-51页 |
4.6 本章小结 | 第51-53页 |
第五章 全文总结与研究展望 | 第53-54页 |
参考文献 | 第54-61页 |
攻读硕士期间发表学术论文 | 第61-62页 |
致谢 | 第62页 |