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二次电子发射效应对容性耦合等离子体的影响:混合模型模拟

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-17页
    1.1 低温等离子体及其应用第9-10页
    1.2 低温容性耦合等离子体源简介第10-14页
    1.3 二次电子的作用第14-15页
    1.4 CCP放电模拟现状第15-16页
    1.5 本文的内容与安排第16-17页
2 电子蒙特卡洛流体一维混合模型算法介绍第17-34页
    2.1 混合模型引言第17页
    2.2 流体模型介绍第17-21页
        2.2.1 流体基本方程第17-20页
        2.2.2 流体数值计算方法第20-21页
        2.2.3 边界条件及其数值处理第21页
    2.3 电子蒙特卡洛(eMCS)模块介绍第21-28页
        2.3.1 引言第21-22页
        2.3.2 电子追踪介绍第22-26页
        2.3.3 蒙特卡洛统计介绍第26-27页
        2.3.4 二次电子模拟介绍第27-28页
    2.4 混合模型算法简单验证第28-34页
        2.4.1 气压对放电的影响第28-31页
        2.4.2 电压对放电的影响第31-34页
3 单频放电下二次电子的影响第34-42页
    3.1 引言第34页
    3.2 不同气压、射频电压下二次电子的影响第34-39页
        3.2.1 气压的影响第34-37页
        3.2.2 电压的影响第37-39页
    3.3 极板间距的影响第39-41页
    3.4 本章小结第41-42页
4 直流/双频放电二次电子的影响第42-49页
    4.1 引言第42页
    4.2 不同直流电压下二次电子的影响第42-45页
    4.3 双频放电中不同低频电压下二次电子的影响第45-48页
    4.4 本章小结第48-49页
结论第49-50页
参考文献第50-55页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第55-56页
致谢第56-57页

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