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硅异质结太阳电池制作研究与理论模拟

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第10-24页
    1.1 太阳电池简介第10-13页
        1.1.1 太阳电池发展历程第10-12页
        1.1.2 太阳电池的基本原理第12-13页
    1.2 太阳电池参数第13-16页
        1.2.1 电池的光照J-V第13-14页
        1.2.2 太阳电池的少子寿命第14-15页
        1.2.3 太阳电池的量子效率第15-16页
    1.3 N型单晶光伏电池的优势和发展现状第16-21页
        1.3.1 HIT太阳电池的结构第17页
        1.3.2 HIT太阳电池的研究进展第17-18页
        1.3.3 HIT太阳电池的特点第18-19页
        1.3.4 HIT太阳电池的伏安曲线分析第19-20页
        1.3.5 获得高效率HIT太阳电池的方法第20页
        1.3.6 HIT太阳电池的理论模拟第20-21页
    1.4 本论文研究内容第21-24页
第2章 材料的制备与表征第24-30页
    2.1 材料的清洗设备第24-25页
        2.1.1 单晶硅清洗制绒设备第24页
        2.1.2 超纯水制备系统第24-25页
    2.2 材料的沉积设备第25-26页
    2.3 材料的检测设备第26-29页
        2.3.1 扫描电子显微镜(SEM)第26页
        2.3.2 少子寿命测试仪第26-27页
        2.3.3 J-V曲线测试仪-太阳能模拟器第27-28页
        2.3.4 量子效率测试仪第28页
        2.3.5 傅里叶显微红外光谱仪第28-29页
    2.4 实验原材料第29-30页
第3章 单晶硅清洗制绒第30-40页
    3.1 引言第30-31页
    3.2 单晶硅的清洗制绒第31-32页
    3.3 制绒时间对金字塔尺寸大小和反射率的影响第32-33页
    3.4 制绒剂含量对金字塔尺寸大小的影响第33-34页
    3.5 化学抛光对晶硅表面形貌的影响第34-35页
    3.6 制绒碱溶液浓度对金字塔大小和反射率的影响第35-36页
    3.7 制绒工艺对本征层钝化的影响和制绒参数的优化第36-38页
    3.8 本章小结第38-40页
第4章 本征非晶硅工艺优化第40-52页
    4.1 引言第40页
    4.2 少子寿命提高对电池性能的影响第40-41页
    4.3 少子寿命随沉积温度的变化关系第41-44页
    4.4 少子寿命随沉积气压的变化关系第44-45页
    4.5 少子寿命随射频功率的变化关系第45-46页
    4.6 少子寿命随氢稀释度的变化关系第46-47页
    4.7 降低电池里的寄生吸收研究第47-50页
        4.7.1 ITO薄膜的优化第47-49页
        4.7.2 发射极薄膜的优化第49-50页
    4.8 优化的实验条件及硅HIT电池性能第50-51页
    4.9 本章小结第51-52页
第5章 新型异质结电池的理论模拟第52-62页
    5.1 引言第52页
    5.2 新型异质结电池的结构设计第52-56页
    5.3 高掺杂非晶硅p层发射极掺杂浓度的优化第56-58页
    5.4 高掺杂非晶硅p层发射极厚度的优化第58-60页
    5.5 前表面ITO的功函数对新结构的太阳电池的电学性能的影响第60-61页
    5.6 本章小结第61-62页
全文总结和展望第62-64页
参考文献第64-72页
致谢第72-74页
攻读硕士学位期间的研究成果第74页

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