| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·无机TFT的发展历程 | 第10-17页 |
| ·起步阶段 | 第10-11页 |
| ·硅材料阶段 | 第11-14页 |
| ·新材料阶段—TAOS TFT | 第14-15页 |
| ·ZnO TFT的研究现状及其优势 | 第15-17页 |
| ·TFT的典型器件性能分析 | 第17-19页 |
| ·非晶硅TFT | 第17-18页 |
| ·多晶硅TFT | 第18页 |
| ·有机TFT | 第18页 |
| ·氧化物半导体TFT | 第18-19页 |
| ·本论文的研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 薄膜晶体管的材料及原理简介 | 第20-25页 |
| ·薄膜晶体管的材料 | 第20-21页 |
| ·有源层半导体材料 | 第20页 |
| ·绝缘层材料 | 第20页 |
| ·电极材料 | 第20-21页 |
| ·衬底材料 | 第21页 |
| ·薄膜晶体管简介 | 第21-25页 |
| ·薄膜晶体管的工作原理 | 第21-22页 |
| ·薄膜晶体管性能表征的参数 | 第22-23页 |
| ·薄膜晶体管的结构 | 第23-25页 |
| 第三章 不同退火温度对ZnO薄膜及其ZnO-TFT的影响 | 第25-36页 |
| ·ZnO薄膜的制备 | 第25-27页 |
| ·磁控溅射简介 | 第25-26页 |
| ·衬底的清洗 | 第26-27页 |
| ·ZnO薄膜的制备和退火 | 第27页 |
| ·ZnO薄膜的表征 | 第27-31页 |
| ·XRD基本原理 | 第27-28页 |
| ·原子力显微镜 | 第28-29页 |
| ·ZnO薄膜的表征 | 第29-31页 |
| ·ZnO-TFT的制备 | 第31页 |
| ·器件的结构 | 第31页 |
| ·电极的制备 | 第31页 |
| ·不同退火温度的ZnO-TFT器件的测试及分析 | 第31-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第四章 不同有源层厚度对ZnO-TFT性能的影响 | 第36-44页 |
| ·薄膜的制备 | 第36-37页 |
| ·磁控溅射的生长速率 | 第36-37页 |
| ·不同厚度的ZnO薄膜的制备 | 第37页 |
| ·不同厚度的ZnO薄膜的表面形貌分析 | 第37-38页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)简介 | 第37页 |
| ·不同厚度的ZnO薄膜的表面形貌分析 | 第37-38页 |
| ·有源层不同厚度的ZnO-TFT器件的制备 | 第38-39页 |
| ·器件的结构 | 第38-39页 |
| ·电极的制备 | 第39页 |
| ·不同有源层厚度的ZnO-TFT器件的测试及分析 | 第39-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第五章 溶胶凝胶法制备ZnO薄膜及ZnO-TFT器件 | 第44-49页 |
| ·溶胶凝胶法制备ZnO薄膜 | 第44页 |
| ·溶胶凝胶法简介 | 第44页 |
| ·溶胶凝胶法制备ZnO薄膜 | 第44页 |
| ·ZnO薄膜的表征 | 第44-47页 |
| ·不同温度退火的ZnO-TFT器件的制备 | 第47页 |
| ·不同温度退火的ZnO-TFT器件的测试及分析 | 第47-48页 |
| ·结论 | 第48-49页 |
| 第六章 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 作者简历 | 第53-55页 |
| 学位论文数据集 | 第55页 |