| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 SiC概述 | 第10-13页 |
| 1.1.1 SiC研究历史 | 第10页 |
| 1.1.2 SiC结构、性质与应用 | 第10-12页 |
| 1.1.3 SiC表面的国内外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2 SiC中的点缺陷及研究现状 | 第13-14页 |
| 1.2.1 本征缺陷与非本征缺陷 | 第13页 |
| 1.2.2 SiC中的缺陷研究 | 第13-14页 |
| 1.3 SiC表面处理 | 第14-17页 |
| 1.3.1 SiC表面钝化方法 | 第14-15页 |
| 1.3.2 离子注入 | 第15-16页 |
| 1.3.3 4H-SiC表面离子注入的实验研究 | 第16-17页 |
| 1.4 研究目的及意义 | 第17-19页 |
| 第二章 理论计算基础 | 第19-24页 |
| 2.1 第一性原理简介 | 第19-22页 |
| 2.1.1 密度泛函理论 | 第19-20页 |
| 2.1.2 交换关联能 | 第20-21页 |
| 2.1.3 赝势 | 第21-22页 |
| 2.2 模拟软件介绍 | 第22-23页 |
| 2.2.1 VASP | 第22-23页 |
| 2.2.2 Materials Studio | 第23页 |
| 2.3 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 氢钝化的 4H-SiC（0001）面点缺陷的结构与形成能 | 第24-40页 |
| 3.1 物理模型与计算方法 | 第24-26页 |
| 3.2 填隙缺陷的结构及形成能研究 | 第26-31页 |
| 3.3 空位缺陷的结构及形成能研究 | 第31-33页 |
| 3.4 反位缺陷的结构及形成能研究 | 第33-35页 |
| 3.5 理想表面与氢钝化表面的形成能比较 | 第35-36页 |
| 3.6 缺陷浓度对形成能的影响 | 第36-39页 |
| 3.7 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 氢钝化的 4H-SiC（0001）面点缺陷对Ag（Mo）吸附性能的影响 | 第40-46页 |
| 4.1 物理模型和计算方法 | 第40-41页 |
| 4.2 表面吸附Ag（Mo）后的结构与电荷密度 | 第41-43页 |
| 4.3 Ag（Mo）与SiC表面的结合能 | 第43-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 氢钝化的 4H-SiC（0001）面的能带和态密度计算 | 第46-55页 |
| 5.1 模型与方法 | 第46页 |
| 5.2 能带结构图与态密度 | 第46-53页 |
| 5.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 总结与展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 在读学位期间发表的论文 | 第65页 |
