| 中文摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 共轭桥键的引入对有机材料电学性能的影响 | 第11-17页 |
| 1.3 杂原子的引入对有机材料电学性能的影响 | 第17-22页 |
| 1.3.1 含氟原子的体系 | 第17-18页 |
| 1.3.2 含氧原子的体系 | 第18-19页 |
| 1.3.3 含氮原子的体系 | 第19-20页 |
| 1.3.4 含硫原子的体系 | 第20-21页 |
| 1.3.5 含其它原子的体系 | 第21-22页 |
| 1.4 外界条件的引入对有机材料电学性能的影响 | 第22-26页 |
| 1.5 本论文的目的意义以及研究内容 | 第26-29页 |
| 1.5.1 本论文选题的目的及意义 | 第26页 |
| 1.5.2 本论文的研究内容 | 第26-28页 |
| 1.5.3 本论文的创新点 | 第28-29页 |
| 第二章 有机分子骨架中引入炔基共轭桥键对多进制电存储性能影响的研究 | 第29-42页 |
| 2.1 引言 | 第29-30页 |
| 2.2 实验部分 | 第30-34页 |
| 2.2.1 实验原料与试剂 | 第30页 |
| 2.2.2 合成步骤和表征 | 第30-33页 |
| 2.2.3 电存储器件的制备方法 | 第33-34页 |
| 2.2.4 测试方法及仪器设备 | 第34页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第34-41页 |
| 2.3.1 光学和电化学性质 | 第34-36页 |
| 2.3.2 薄膜形貌和结晶性 | 第36-37页 |
| 2.3.3 电存储器件的电流电压（I-V）性能 | 第37-38页 |
| 2.3.4 存储性能的比较 | 第38-39页 |
| 2.3.5 存储机理解释 | 第39-41页 |
| 2.3.6 炔基桥键的作用 | 第41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 有机分子骨架中分别引入 3-己基噻吩桥键和氟原子调控器件三进制存储性能的研究 | 第42-55页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 实验部分 | 第43-47页 |
| 3.2.1 实验原料与试剂 | 第43页 |
| 3.2.2 合成步骤和表征 | 第43-46页 |
| 3.2.3 电存储器件的制备方法 | 第46页 |
| 3.2.4 测试方法及仪器设备 | 第46-47页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第47-54页 |
| 3.3.1 光学和电化学性质 | 第47-49页 |
| 3.3.2 薄膜结晶性和形貌 | 第49-50页 |
| 3.3.3 电存储器件的电流电压（I-V）性能 | 第50-51页 |
| 3.3.4 存储性能的比较 | 第51-52页 |
| 3.3.5 存储机理解释 | 第52-53页 |
| 3.3.6 桥键 3-己基噻吩和氟原子的作用 | 第53-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 有机分子骨架中引入酰腙桥键通过UV光照调控电存储性能的研究 | 第55-63页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 实验部分 | 第56-58页 |
| 4.2.1 实验原料与试剂 | 第56页 |
| 4.2.2 合成步骤和表征 | 第56-57页 |
| 4.2.3 电存储器件的制备方法 | 第57页 |
| 4.2.4 测试方法及仪器设备 | 第57-58页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第58-62页 |
| 4.3.1 光学性质 | 第58页 |
| 4.3.2 电存储器件的存储类型 | 第58-59页 |
| 4.3.3 薄膜形貌和堆积 | 第59-60页 |
| 4.3.4 理论计算 | 第60-61页 |
| 4.3.5 存储类型机理解释 | 第61-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 5.1 全文总结 | 第63-64页 |
| 5.2 存在的问题与展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-76页 |
| 附录 | 第76-79页 |
| 攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
