| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·课题研究背景与意义 | 第10-11页 |
| ·半导体发光二极管发展过程 | 第11-12页 |
| ·世界各国半导体照明计划和研究方向 | 第12-16页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 半导体发光二极管光学结构设计理论基础 | 第17-39页 |
| ·与LED 照明相关的光度学量 | 第17-18页 |
| ·光通量Φ_v | 第17页 |
| ·光视效能K | 第17页 |
| ·发光强度I | 第17-18页 |
| ·光照度E | 第18页 |
| ·光亮度L | 第18页 |
| ·LED 器件的效率 | 第18-21页 |
| ·发光效率 | 第18-19页 |
| ·辐射效率 | 第19页 |
| ·光视效率 | 第19页 |
| ·量子效率 | 第19-21页 |
| ·光的传播和几何光学基础 | 第21-23页 |
| ·光的吸收 | 第21页 |
| ·光线传播的三条基本定律 | 第21-22页 |
| ·光的全反射 | 第22页 |
| ·三大定律的向量形式 | 第22-23页 |
| ·光在介质面上的能量变化 | 第23页 |
| ·发光二极管原理和光学结构 | 第23-29页 |
| ·发光二极管的发光原理及其相关特征 | 第23-27页 |
| ·半导体发光二极管的芯片结构 | 第27-28页 |
| ·半导体发光二极管的封装结构 | 第28页 |
| ·半导体白光发光二极管 | 第28-29页 |
| ·半导体照明目前遇到的问题和研究概况 | 第29-39页 |
| ·发光二极管光取出初步分析和光取出效率的近似计算 | 第29-34页 |
| ·半导体发光二极管光取出方法及研究概况 | 第34-39页 |
| 第三章 发光二极管光取出的理论分析与计算机模拟 | 第39-58页 |
| ·发光二极管光取出理论分析的方法和工具 | 第39-45页 |
| ·传输矩阵法 | 第39-40页 |
| ·时域有限差分法 | 第40-42页 |
| ·有限元法 | 第42-44页 |
| ·光线追迹法 | 第44-45页 |
| ·基于蒙特卡洛方法的发光二极管光取出计算机模拟 | 第45-54页 |
| ·蒙特卡洛方法 | 第45-46页 |
| ·模拟流程设计 | 第46页 |
| ·光线的随机生成 | 第46-51页 |
| ·光线位置和方向的计算 | 第51-52页 |
| ·光线的吸收、反射和折射处理 | 第52-53页 |
| ·光取出模拟的统计及表现形式 | 第53-54页 |
| ·ASAP 光学设计软件的光取出模拟 | 第54-58页 |
| ·ASAP 简介 | 第54-55页 |
| ·在ASAP 中建模 | 第55-58页 |
| 第四章 提高发光二极管光取出效率的方法及分析 | 第58-72页 |
| ·高折射率涂装材料和新型结构 | 第58-61页 |
| ·封装材料折射率对发光二极管光取出效率的影响 | 第58-60页 |
| ·多层封装和渐变折射率提高光取出效率 | 第60-61页 |
| ·基于GaN 基发光二极管的复合布拉格反射镜的设计 | 第61-67页 |
| ·发光二极管分布布拉格反射镜 | 第61-62页 |
| ·模拟结果与分析 | 第62-64页 |
| ·提高宽角度反射构造方案 | 第64-67页 |
| ·基于GaN 基发光二极管的微结构微元设计 | 第67-72页 |
| ·微结构微元、微透镜阵列和光子晶体等之间的联系和区别 | 第67页 |
| ·微结构微元的实现 | 第67-68页 |
| ·微结构提高光取出效率的理论分析 | 第68页 |
| ·几种微结构的模拟和讨论 | 第68-72页 |
| 第五章 结束语 | 第72-74页 |
| ·总结本文工作 | 第72-73页 |
| ·不足和展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 附录1：传输矩阵法部分代码（MATLAB 源代码） | 第79页 |
| 附录2：蒙特卡洛模拟中部分代码（C++源代码） | 第79-84页 |
| 附录3：ASAP 中建模部分代码（ASAP 命令代码） | 第84-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第89-90页 |
