| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-20页 |
| 2.1 薄膜太阳能电池简介 | 第10-12页 |
| 2.1.1 薄膜太阳能电池发展历程 | 第10页 |
| 2.1.2 薄膜太阳电池种类介绍 | 第10-12页 |
| 2.1.2.1 非晶硅 (a-Si)太阳电池 | 第10-11页 |
| 2.1.2.2 碲化镉（CdTe)太阳电池 | 第11页 |
| 2.1.2.3 染料敏化太阳电池（DSSC） | 第11页 |
| 2.1.2.4 铜铟镓硒（CIGS）太阳电池 | 第11-12页 |
| 2.2 铜铟镓硒薄膜太阳能电池简介 | 第12-14页 |
| 2.2.1 铜铟镓硒薄膜太阳能电池特点及结构 | 第12-14页 |
| 2.2.2 铜铟镓硒（CIGS）薄膜电池的工作原理 | 第14页 |
| 2.3 CIGS太阳电池国外的研究进展 | 第14-15页 |
| 2.4 CIGS薄膜简介 | 第15-16页 |
| 2.4.1 CIGS薄膜的结构与性能 | 第15-16页 |
| 2.5 铜铟镓硒（CIGS）吸收层薄膜的制备方法 | 第16-18页 |
| 2.5.1 热蒸发法 | 第16页 |
| 2.5.2 金属预制层硒化法 | 第16-17页 |
| 2.5.3 电化学沉积法 | 第17页 |
| 2.5.4 纳米油墨印刷法 | 第17-18页 |
| 2.5.5 磁控溅射法 | 第18页 |
| 2.6 晶体生长机理 | 第18页 |
| 2.7 本论文的创新点 | 第18-20页 |
| 第三章 实验部分 | 第20-25页 |
| 3.1 实验药品及仪器设备 | 第20-21页 |
| 3.2 铜铟镓硒薄膜的制备 | 第21-24页 |
| 3.2.1 真空蒸发法 | 第21-22页 |
| 3.2.2 磁控溅射法 | 第22-24页 |
| 3.2.2.1 溅射制备CIGS薄膜工作参数（不变量） | 第22-23页 |
| 3.2.2.2 中频磁控溅射制备CIGS薄膜的步骤 | 第23页 |
| 3.3.2.3 CIGS吸收层薄膜退火处理步骤 | 第23-24页 |
| 3.3 CIGS薄膜的表征 | 第24-25页 |
| 3.3.1 CIGS薄膜的XRD分析测试 | 第24页 |
| 3.3.2 CIGS薄膜的SEM分析测试 | 第24页 |
| 3.3.3 CIGS光学性能测试 | 第24页 |
| 3.3.4 CIGS薄膜禁带宽度的计算 | 第24页 |
| 3.3.5 CIGS薄膜方块电阻和电阻率的测试 | 第24-25页 |
| 第四章 结果与讨论 | 第25-54页 |
| 4.1 一步热蒸发法制备CIGS薄膜 | 第25-40页 |
| 4.1.1 基底材料及基底温度对CIGS薄膜的影响 | 第25-35页 |
| 4.1.1.1 CIGS薄膜的表面形貌分析 | 第25-28页 |
| 4.1.1.2 CIGS薄膜的结构分析 | 第28-30页 |
| 4.1.1.3 CIGS薄膜的性能分析 | 第30-35页 |
| 4.1.2 蒸发功率对CIGS薄膜的影响 | 第35-40页 |
| 4.1.2.1 不同功率对薄膜结构的影响 | 第35-36页 |
| 4.1.2.2 不同功率对薄膜表面形貌的影响 | 第36-37页 |
| 4.1.2.3 不同功率对薄膜吸光度的影响 | 第37-39页 |
| 4.1.2.4 不同功率对薄膜电阻的影响 | 第39-40页 |
| 4.2 溅射法制备CIGS薄膜 | 第40-54页 |
| 4.2.1 双极脉冲磁控溅射与中频磁控溅射法制备CIGS薄膜 | 第40-43页 |
| 4.2.1.1 CIGS薄膜的结构分析 | 第40-41页 |
| 4.2.1.2 CIGS薄膜的性能分析 | 第41-43页 |
| 4.2.2 中频电源磁控溅射法制备CIGS薄膜 | 第43-54页 |
| 4.2.2.1 溅射功率对CIGS薄膜的影响 | 第43-45页 |
| 4.2.2.2 基底温度对CIGS薄膜的影响 | 第45-50页 |
| 4.2.2.3 退火温度对CIGS薄膜的影响 | 第50-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 附录A 作者攻读硕士期间发表的论文及成果 | 第59页 |
