| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 1 绪论 | 第13-35页 |
| ·ZnO材料的性质与应用 | 第13-19页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第13-16页 |
| ·ZnO材料的应用 | 第16-19页 |
| ·稀土元素的物理特性 | 第19-24页 |
| ·稀土元素的结构特征 | 第19页 |
| ·稀土元素的磁学性质 | 第19-21页 |
| ·稀土离子的发光性质 | 第21-24页 |
| ·ZnO基稀磁半导体材料 | 第24-32页 |
| ·半导体自旋电子学与稀磁半导体简介 | 第24-27页 |
| ·ZnO基稀磁半导体材料的研究进展 | 第27-29页 |
| ·稀磁半导体铁磁性的理论模型 | 第29-32页 |
| ·ZnO基发光材料的研究进展 | 第32-34页 |
| ·本论文的研究工作 | 第34-35页 |
| 2 实验简介 | 第35-48页 |
| ·Eu掺杂ZnO薄膜的制备 | 第35-39页 |
| ·射频磁控溅射镀膜的原理 | 第35-38页 |
| ·本实验仪器概况 | 第38-39页 |
| ·固相反应法制备ZnO:(Al,Eu)荧光粉 | 第39-43页 |
| ·荧光粉的制备方法简介 | 第39-41页 |
| ·ZnO:(Al,Eu)荧光粉的制备 | 第41-43页 |
| ·样品的表征方法 | 第43-48页 |
| ·X射线衍射法(XRD) | 第43-44页 |
| ·原子力显微技术(AFM) | 第44-45页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第45-46页 |
| ·超导量子干涉仪(SQUID) | 第46-48页 |
| 3 Eu掺杂ZnO薄膜的结构、光学及磁学特性 | 第48-57页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·实验 | 第48-49页 |
| ·样品的制备 | 第48-49页 |
| ·样品的表征 | 第49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-56页 |
| ·Eu掺杂ZnO薄膜的结构特性 | 第49-52页 |
| ·Eu掺杂ZnO薄膜的光学特性 | 第52-54页 |
| ·Eu掺杂ZnO薄膜的磁学特性 | 第54-56页 |
| ·结论 | 第56-57页 |
| 4 生长及退火条件对Eu掺杂ZnO薄膜磁学特性的影响 | 第57-72页 |
| ·引言 | 第57-59页 |
| ·实验 | 第59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-70页 |
| ·溅射氧含量对Eu掺杂ZnO薄膜结构和磁学特性的影响 | 第59-63页 |
| ·衬底温度对Eu掺杂ZnO薄膜结构和磁学特性的影响 | 第63-65页 |
| ·氧气退火对Eu掺杂ZnO薄膜磁学特性的影响 | 第65-67页 |
| ·Al和Eu共掺杂ZnO薄膜的结构及磁学特性 | 第67-70页 |
| ·结论 | 第70-72页 |
| 5 ZnO:(Al,Eu)荧光粉的结构及光学特性 | 第72-86页 |
| ·引言 | 第72-73页 |
| ·实验 | 第73-75页 |
| ·实验试剂 | 第73页 |
| ·样品的制备 | 第73-74页 |
| ·样品的表征 | 第74-75页 |
| ·结果与讨论 | 第75-85页 |
| ·ZnO:(Al,Eu)荧光粉的结构和光学特性 | 第75-82页 |
| ·ZnO:(Al,Eu)荧光粉的结构特性 | 第75-76页 |
| ·ZnO:(Al,Eu)荧光粉的光学特性 | 第76-82页 |
| ·Eu掺杂含量对ZnO:(Al,Eu)荧光粉结构和光学特性的影响 | 第82-85页 |
| ·Eu掺杂含量对ZnO:(Al,Eu)荧光粉结构特性的影响 | 第82-84页 |
| ·Eu掺杂含量对ZnO:(Al,Eu)荧光粉光学特性的影响 | 第84-85页 |
| ·结论 | 第85-86页 |
| 6 结论与展望 | 第86-89页 |
| ·结论 | 第86-87页 |
| ·今后工作展望 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-102页 |
| 个人简历 | 第102页 |
