| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 巨磁阻抗效应简介 | 第14页 |
| 1.3 巨磁阻抗效应的研究进展 | 第14-26页 |
| 1.3.1 巨磁阻抗效应的理论研究 | 第15-17页 |
| 1.3.2 巨磁阻抗效应的实验研究 | 第17-22页 |
| 1.3.3 非晶纳米晶制备方法概述 | 第22-25页 |
| 1.3.4 巨磁阻抗效应的应用开发 | 第25页 |
| 1.3.5 问题和发展趋势 | 第25-26页 |
| 1.4 本论文的研究背景、目的及主要研究内容 | 第26-29页 |
| 1.4.1 研究背景和目的 | 第26-27页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 铁基非晶合金的低频脉冲磁场处理及测试方法 | 第29-39页 |
| 2.1 非晶合金的低频脉冲磁场处理 | 第29页 |
| 2.2 穆斯堡尔谱分析 | 第29-32页 |
| 2.3 透射电镜分析(TEM) | 第32页 |
| 2.4 X射线衍射分析(XRD) | 第32-33页 |
| 2.5 样品巨磁阻抗的测量 | 第33-35页 |
| 2.5.1 自制巨磁阻抗测量仪测量巨磁阻抗原理 | 第33-34页 |
| 2.5.2 巨磁阻抗测量流程图 | 第34-35页 |
| 2.6 样品温升的测量 | 第35页 |
| 2.7 样品软磁性能测量 | 第35-39页 |
| 2.7.1 改进的杨氏模量仪测量饱和磁致伸缩系数原理 | 第35-37页 |
| 2.7.2 材料矫顽力的测量 | 第37-39页 |
| 第三章 巨磁阻抗效应的电磁理论 | 第39-65页 |
| 3.1 引言 | 第39页 |
| 3.2 巨磁阻抗效应下非晶合金的磁化机制 | 第39-42页 |
| 3.2.1 交变驱动场h作用下的畴壁运动方程 | 第39-41页 |
| 3.2.2 直流外磁场H_(ex)作用下磁化强度Ms进动方程 | 第41页 |
| 3.2.3 非晶纳米晶巨磁阻抗效应状态下磁畴的运动模式 | 第41-42页 |
| 3.3 非晶纳米晶磁导率的频率特性 | 第42-45页 |
| 3.3.1 非晶纳米晶在交变驱动场h作用下的磁导率频率特征 | 第42-43页 |
| 3.3.2 非晶纳米晶在直流外磁场H_(ex)作用下的磁导率频率特征 | 第43-45页 |
| 3.4 巨磁阻抗效应的等效电路模型 | 第45-46页 |
| 3.5 巨磁阻抗效应与交变驱动场频率的关系 | 第46-47页 |
| 3.6 提高巨磁阻抗效应的途径 | 第47-53页 |
| 3.6.1 感生各向异性对巨磁阻抗效应的影响 | 第47-50页 |
| 3.6.2 非晶合金软磁性对巨磁阻抗效应的影响 | 第50-53页 |
| 3.7 巨磁阻抗状态下非晶纳米晶薄带横向磁导率的数值计算 | 第53-64页 |
| 3.7.1 巨磁阻抗状态下非晶纳米晶薄带的总有效场 | 第54-56页 |
| 3.7.2 消元法计算非晶纳米晶薄带的横向磁导率μ_(eff) | 第56-64页 |
| 3.8 本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 低频脉冲磁场致Fe_(78)Si_9B_(13)非晶合金纳米晶化及巨磁阻抗效应 | 第65-87页 |
| 4.1 引言 | 第65页 |
| 4.2 低频脉冲磁场处理前后非晶合金Fe_(78)Si_9B_(13)的微结构 | 第65-70页 |
| 4.2.1 XRD观察 | 第65-66页 |
| 4.2.2 穆斯堡尔谱观察 | 第66-69页 |
| 4.2.3 TEM观察 | 第69-70页 |
| 4.3 低频脉冲磁场致非晶合金纳米晶化的相变动力学理论 | 第70-73页 |
| 4.4 低频脉冲磁场参数对非晶纳米晶化的影响 | 第73-75页 |
| 4.4.1 低频脉冲磁场频率对晶化相体积分数的影响 | 第73-74页 |
| 4.4.2 低频脉冲磁场强度对晶化相体积分数的影响 | 第74-75页 |
| 4.5 Fe_(78)Si_9B_(13)纳米晶薄带的巨磁阻抗效应 | 第75-77页 |
| 4.6 低频脉冲磁场对样品磁性能的优化 | 第77-85页 |
| 4.6.1 低频脉冲磁场参数对样品磁性能的影响 | 第77-81页 |
| 4.6.2 饱和磁致伸缩系数的测量 | 第81-84页 |
| 4.6.3 非晶纳米晶的磁化曲线和磁滞回线 | 第84-85页 |
| 4.7 本章小结 | 第85-87页 |
| 第五章 Fe、Co基双相纳米晶的巨磁阻抗效应 | 第87-113页 |
| 5.1 引言 | 第87-88页 |
| 5.2 低频脉冲磁场参数对样品巨磁阻抗效应的影响 | 第88-100页 |
| 5.2.1 低频脉冲磁场频率对样品巨磁阻抗的影响 | 第89-92页 |
| 5.2.2 低频脉冲磁场强度对样品巨磁阻抗效应的影响 | 第92-96页 |
| 5.2.3 低频脉冲磁场作用时间对样品巨磁阻抗效应的影响 | 第96-100页 |
| 5.3 巨磁阻抗效应与直流外磁场H_(ex)的关系 | 第100-101页 |
| 5.4 巨磁阻抗效应与交变驱动电流频率的关系 | 第101-102页 |
| 5.5 样品尺度对巨磁阻抗效应的影响 | 第102-105页 |
| 5.5.1 样品的厚度(电阻率)对巨磁阻抗效应的影响 | 第102-103页 |
| 5.5.2 样品的宽度对巨磁阻抗效应的影响 | 第103-105页 |
| 5.6 样品成分对巨磁阻抗效应的影响 | 第105-108页 |
| 5.7 样品比电阻和巨磁阻抗效应关系 | 第108-111页 |
| 5.8 本章小结 | 第111-113页 |
| 第六章 总结论 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-127页 |
| 致谢 | 第127-129页 |
| 攻读学位期间发表的论著和科研情况 | 第129-130页 |
| 作者简历 | 第130页 |
