| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 纳米材料简介 | 第9-11页 |
| 1.2.1 纳米材料的发展史 | 第9-10页 |
| 1.2.2 纳米材料的分类及特性 | 第10-11页 |
| 1.3 一维纳米材料的制备 | 第11-18页 |
| 1.3.1 气相法 | 第11-12页 |
| 1.3.2 液相法 | 第12-13页 |
| 1.3.3 模板法 | 第13-18页 |
| 1.4 PAA模板电沉积制备一维纳米材料的研究 | 第18-22页 |
| 1.4.1 PAA模板电沉积纳米线的方法 | 第18-19页 |
| 1.4.2 PAA模板电沉积法的影响因素 | 第19-20页 |
| 1.4.3 PAA模板电沉积纳米线的应用 | 第20页 |
| 1.4.4 一维多孔纳米材料的研究 | 第20-21页 |
| 1.4.5 一维超晶格结构纳米材料的研究 | 第21-22页 |
| 1.5 选题意义及主要研究内容 | 第22-24页 |
| 2 实验方法与表征 | 第24-34页 |
| 2.1 实验制备材料与设备 | 第24-25页 |
| 2.2 多孔阳极氧化铝模板(PAA)的制备与表征 | 第25-28页 |
| 2.2.1 多孔阳极氧化铝模板(PAA)的制备 | 第25-27页 |
| 2.2.2 多孔阳极氧化铝模板(PAA)的形貌表征 | 第27-28页 |
| 2.3 纳米线阵列的电沉积制备 | 第28-30页 |
| 2.3.1 脉冲电沉积原理 | 第28-29页 |
| 2.3.2 纳米线阵列的电沉积制备 | 第29-30页 |
| 2.4 纳米线阵列的热处理过程 | 第30页 |
| 2.5 纳米线阵列的表征方法 | 第30-34页 |
| 2.5.1 成分与结构表征 | 第30-31页 |
| 2.5.2 性能表征 | 第31-34页 |
| 3 铟-碲多孔纳米线阵列的制备 | 第34-44页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 In-Te多孔纳米线阵列的制备 | 第35-36页 |
| 3.3 In-Te多孔纳米线阵列的表征 | 第36-39页 |
| 3.3.1 In-Te多孔纳米线阵列的形貌与结构表征 | 第36-38页 |
| 3.3.2 In-Te多孔纳米线阵列的电学性能表征 | 第38-39页 |
| 3.4 In-Te多孔纳米线的形成机理研究及其结构调控 | 第39-43页 |
| 3.4.1 In-Te多孔纳米线的形成机理研究 | 第39-42页 |
| 3.4.2 In-Te多孔纳米线的结构调控 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 4 Bi/Sb超晶格纳米线阵列的制备与表征 | 第44-54页 |
| 4.1 引言 | 第44-45页 |
| 4.2 Bi/Sb超晶格纳米线阵列的制备与表征 | 第45-49页 |
| 4.2.1 Bi/Sb超晶格纳米线阵列的制备 | 第45页 |
| 4.2.2 Bi/Sb超晶格纳米线阵列的形貌表征 | 第45-46页 |
| 4.2.3 Bi/Sb超晶格纳米线阵列的组成与结构研究 | 第46-49页 |
| 4.3 Bi/Sb超晶格纳米线阵列的调制生长 | 第49-51页 |
| 4.4 Bi/Sb超晶格纳米线阵列的热处理以及电学性能 | 第51-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
