| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 研究背景介绍 | 第9页 |
| 1.2 透明导电氧化物的研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 CuCrO_2晶体结构与能带结构 | 第10-12页 |
| 1.4 CuCrO_2薄膜研究现状 | 第12-14页 |
| 1.5 研究的目的及意义 | 第14页 |
| 1.6 应用的前景 | 第14-16页 |
| 1.6.1 晶体管和透明电极 | 第14-15页 |
| 1.6.2 电致色变窗口 | 第15-16页 |
| 1.6.3 UV 发光二极管 | 第16页 |
| 1.7 主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 CuCrO_2薄膜脉冲激光沉积制备及表征 | 第18-29页 |
| 2.1 CuCrO_2薄膜的制备 | 第18-25页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积 | 第18-20页 |
| 2.1.2 靶材的制备及表征 | 第20-24页 |
| 2.1.3 薄膜的生长条件 | 第24页 |
| 2.1.4 薄膜的生长 | 第24-25页 |
| 2.2 薄膜的表征 | 第25-27页 |
| 2.2.1 薄膜相结构表征 X 射线衍射 | 第25-26页 |
| 2.2.2 表面形貌表征 | 第26-27页 |
| 2.2.3 薄膜电学表征 | 第27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-29页 |
| 第3章 生长条件对 CuCrO_2薄膜的影响 | 第29-40页 |
| 3.1 衬底对薄膜的影响 | 第29-30页 |
| 3.2 生长温度对 CuCrO_2薄膜的影响 | 第30-36页 |
| 3.2.1 不同生长温度 CuCrO_2薄膜的制备 | 第31页 |
| 3.2.2 不同生长温度 CuCrO_2薄膜的 XRD 表征 | 第31-32页 |
| 3.2.3 不同生长温度 CuCrO_2的 SEM 表征 | 第32-33页 |
| 3.2.4 生长温度对光学性质的影响 | 第33-34页 |
| 3.2.5 生长温度对电学性质的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.6 小结 | 第35-36页 |
| 3.3 氧分压对 CuCrO_2薄膜的影响 | 第36-38页 |
| 3.3.1 不同氧分压 CuCrO_2薄膜的制备 | 第36页 |
| 3.3.2 氧分压对光学性质的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.3 氧分压对电学性质的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.4 小结 | 第38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 Mg 掺杂对 CuCrO_2薄膜的光电性能的影响 | 第40-57页 |
| 4.1 Mg 掺杂对 CuCrO_2薄膜结构的影响 | 第40-42页 |
| 4.2 Mg 掺杂对 CuCrO_2薄膜光学性的影响 | 第42-48页 |
| 4.2.1 CuCr_(1-x)Mg_xO_2( x=0, 0.025, 0.05, 0.075)薄膜的可见光透过率 | 第42-43页 |
| 4.2.2 CuCr_(1-x)Mg_xO_2薄膜的直接、间接吸收系数 | 第43-47页 |
| 4.2.3 小结 | 第47-48页 |
| 4.3 Mg 掺杂对 CuCrO_2薄膜电学性的影响 | 第48-52页 |
| 4.3.1 CuCr_(1-x)Mg_xO_2薄膜的四端法测试 | 第48-50页 |
| 4.3.2 CuCr_(1-x)Mg_xO_2薄膜的变温电导测试 | 第50-52页 |
| 4.4 Mg 掺杂对 CuCrO_2薄膜表面形貌的影响 | 第52-54页 |
| 4.5 CuCr_(1-x)Mg_xO_2薄膜微观形貌与光学、电学性能的关系 | 第54-55页 |
| 4.6 本章小结 | 第55-57页 |
| 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
