| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 二维层状过渡金属硫属化合物的制备方法 | 第12-19页 |
| 1.2.1 ―自上而下‖的剥离法 | 第12-15页 |
| 1.2.2 ―自下而上‖的合成方法 | 第15-19页 |
| 1.3 二维层状过渡金属硫属化合物的结构与性能 | 第19-23页 |
| 1.3.1 二维层状过渡金属硫属化合物的结构 | 第20-21页 |
| 1.3.2 二维层状过渡金属硫属化合物的机械性能 | 第21页 |
| 1.3.3 二维层状过渡金属硫属化合物的电学/光学性能和层数的关系 | 第21-23页 |
| 1.4 二维层状过渡金属硫属化合物的应用 | 第23-30页 |
| 1.4.1 离子电池 | 第23-25页 |
| 1.4.2 太阳能电池 | 第25-27页 |
| 1.4.3 光电器件 | 第27-30页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容及意义 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-35页 |
| 第二章 实验设备与表征测试仪器 | 第35-40页 |
| 2.1 材料合成与器件制作设备 | 第35-37页 |
| 2.2 材料表征设备 | 第37-38页 |
| 2.3 器件性能测试设备 | 第38-40页 |
| 第三章 基于垂直衬底生长的MoS_2与Si异质结的高效可见光到近红外光电探测器 | 第40-68页 |
| 3.1 引言 | 第40-43页 |
| 3.2 实验部分 | 第43-44页 |
| 3.2.1 P型Si衬底的预处理与图案化 | 第43页 |
| 3.2.2 MoS_2薄膜的制备 | 第43页 |
| 3.2.3 器件的制备与表征 | 第43-44页 |
| 3.3 实验结果与分析 | 第44-60页 |
| 3.3.1 MoS_2薄膜的表征 | 第44-46页 |
| 3.3.2 MoS_2/Si异质结光电探测器的结构表征 | 第46-48页 |
| 3.3.3 MoS_2/Si异质结表面电势测试 | 第48-50页 |
| 3.3.4 MoS_2/Si异质结在暗场条件下伏安（I-V）特性 | 第50-52页 |
| 3.3.5 MoS_2/Si光电探测器在光照条件下的特性 | 第52-53页 |
| 3.3.6 MoS_2/Si光电探测器的性能和入射光的波长及光强的关系 | 第53-57页 |
| 3.3.7 MoS_2/Si异质结光电探测器的响应速度和稳定性 | 第57-60页 |
| 3.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 第四章 基于石墨烯作为透明电极的MoSe_2/Si高性能异质结光电探测器 | 第68-89页 |
| 4.1 引言 | 第68-69页 |
| 4.2 实验部分 | 第69-72页 |
| 4.2.1 P型Si衬底的预处理与图案化 | 第69-70页 |
| 4.2.2 MoSe_2薄膜的制备 | 第70页 |
| 4.2.3 器件的制备与表征 | 第70-72页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第72-84页 |
| 4.3.1 MoSe_2薄膜的表征 | 第72-74页 |
| 4.3.2 MoSe_2/Si异质结光电探测器的结构表征 | 第74-76页 |
| 4.3.3 用石墨烯作为透明电极对MoSe_2/Si异质结的影响 | 第76-79页 |
| 4.3.4 石墨烯做透明电极的MoSe_2/Si电探测器的光响应 | 第79-82页 |
| 4.3.5 石墨烯做透明电极的MoSe_2/Si光电探测器的响应速度 | 第82-84页 |
| 4.4 本章小结 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-89页 |
| 第五章 总结与展望 | 第89-91页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第91-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
