| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| ·前言 | 第12-13页 |
| ·ZnO 压敏电阻的微观结构特征 | 第13-16页 |
| ·ZnO 晶粒 | 第14-15页 |
| ·晶界层 | 第15页 |
| ·尖晶石相 | 第15-16页 |
| ·ZnO 压敏电阻的导电机理 | 第16-20页 |
| ·压敏电阻的非线性U-I 特性 | 第16-17页 |
| ·ZnO 压敏电阻在低电场区的导电机理 | 第17-18页 |
| ·ZnO 压敏电阻在中电场区的导电机理 | 第18-19页 |
| ·ZnO 压敏电阻在高电场区的导电机理 | 第19-20页 |
| ·ZnO 压敏电阻的冲击破坏和蜕化机理 | 第20-23页 |
| ·ZnO 压敏电阻的冲击破坏机理 | 第20-21页 |
| ·破裂破坏机理 | 第20页 |
| ·穿孔破坏机理 | 第20-21页 |
| ·ZnO 压敏电阻的蜕化机理 | 第21-23页 |
| ·ZnO 压敏电阻的电性能参数 | 第23-25页 |
| ·压敏电压V1mA | 第23页 |
| ·非线性指数α | 第23-24页 |
| ·漏电流IL | 第24页 |
| ·大冲击电流下的通流容量和能量耐量 | 第24-25页 |
| ·残压与残压比 | 第25页 |
| ·介电特性 | 第25页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 制备ZnO压敏电阻的正交实验分析 | 第27-37页 |
| ·前言 | 第27页 |
| ·实验过程及测试方法 | 第27-29页 |
| ·正交试验设计 | 第27-28页 |
| ·样品制备 | 第28-29页 |
| ·测试与表征 | 第29页 |
| ·实验结果分析 | 第29-36页 |
| ·对正交试验结果进行极差分析 | 第29-31页 |
| ·添加剂B_i2O_3的含量对ZnO 压敏性能的影响 | 第31-33页 |
| ·添加剂Co_3O_4对ZnO 压敏电阻的性能影响 | 第33-34页 |
| ·添加剂Sb_2O_3的含量对ZnO 压敏电阻片性能的影响 | 第34-35页 |
| ·烧结温度对ZnO 压敏电阻性能的影响 | 第35页 |
| ·优化试验 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 溶胶-凝胶法制备纳米ZnO及其对压敏电阻性能的影响 | 第37-53页 |
| ·前言 | 第37-38页 |
| ·实验过程 | 第38-43页 |
| ·实验设计 | 第38-39页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第39-40页 |
| ·Sol-gel 法制备纳米ZnO 粉体的实验过程 | 第40-43页 |
| ·实验结果与分析 | 第43-52页 |
| ·ZnO 粉体颗粒形貌 | 第43-46页 |
| ·不同ZnO 制备的压敏电阻小电流特性比较 | 第46-50页 |
| ·制备的压敏电阻的大电流特性比较 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 ZnO压敏电阻的势垒高度 | 第53-58页 |
| ·前言 | 第53-54页 |
| ·U-I 特性测试过程 | 第54页 |
| ·势垒高度推导和计算过程 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 压敏电阻的离子激活能研究 | 第58-64页 |
| ·前言 | 第58-59页 |
| ·介电频谱特性测试过程 | 第59页 |
| ·离子缺陷能分析计算 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 结束语 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 附件 | 第72页 |
