| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 多孔材料 | 第10-14页 |
| 1.1.1 微孔分子筛材料 | 第10-11页 |
| 1.1.2 介孔分子筛材料 | 第11-14页 |
| 1.1.3 大孔材料 | 第14页 |
| 1.2 多级孔分子筛材料的合成及应用 | 第14-20页 |
| 1.2.1 脱铝法合成多级孔分子筛材料 | 第15页 |
| 1.2.2 脱硅法合成多级孔分子筛材料 | 第15-16页 |
| 1.2.3 硬模板法合成多级孔分子筛材料 | 第16-17页 |
| 1.2.4 软模板法合成多级孔分子筛材料 | 第17-19页 |
| 1.2.5 多级孔分子筛材料的应用 | 第19-20页 |
| 1.3 糠醛加氢反应概述 | 第20-22页 |
| 1.4 本论文的研究思路和内容 | 第22-23页 |
| 第二章 实验部分 | 第23-30页 |
| 2.1 实验药品与仪器 | 第23-24页 |
| 2.2 多级孔Y型分子筛的制备 | 第24页 |
| 2.2.1 导向剂的合成 | 第24页 |
| 2.2.2 多级孔Y型分子筛的合成 | 第24页 |
| 2.3 催化剂的制备 | 第24页 |
| 2.4 样品表征 | 第24-26页 |
| 2.4.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第24-25页 |
| 2.4.2 傅立叶变换红外光谱(FT-IR)分析 | 第25页 |
| 2.4.3 扫描电镜(SEM)分析 | 第25页 |
| 2.4.4 透射电镜(TEM)分析 | 第25页 |
| 2.4.5 N_2物理吸附(BET)分析 | 第25页 |
| 2.4.6 NH_3程序升温脱附(NH_3-TPD)分析 | 第25页 |
| 2.4.7 程序升温还原(H_2-TPR)分析 | 第25-26页 |
| 2.5 催化剂性能评价 | 第26-30页 |
| 2.5.1 催化剂还原 | 第26页 |
| 2.5.2 糠醛加氢反应 | 第26-28页 |
| 2.5.3 产物分析 | 第28页 |
| 2.5.4 数据处理 | 第28-30页 |
| 第三章 以F127为模板剂合成多级孔Y型分子筛 | 第30-45页 |
| 3.1 前言 | 第30页 |
| 3.2 合成条件对多级孔Y型分子筛的影响 | 第30-45页 |
| 3.2.1 晶化温度对合成多级孔Y型分子筛的影响 | 第30-33页 |
| 3.2.2 晶化时间对合成多级孔Y型分子筛的影响 | 第33-36页 |
| 3.2.3 硅铝比对合成多级孔Y型分子筛的影响 | 第36-38页 |
| 3.2.4 模板剂用量对合成多级孔Y型分子筛的影响 | 第38-45页 |
| 第四章 以海藻酸钠为模板剂合成多级孔Y型分子筛 | 第45-59页 |
| 4.1 前言 | 第45页 |
| 4.2 合成条件对多级孔Y型分子筛的影响 | 第45-59页 |
| 4.2.1 晶化温度对合成多级孔Y型分子筛的影响 | 第45-48页 |
| 4.2.2 晶化时间对合成多级孔Y型分子筛的影响 | 第48-50页 |
| 4.2.3 硅铝比对合成多级孔Y型分子筛的影响 | 第50-52页 |
| 4.2.4 模板剂用量对合成多级孔Y型分子筛的影响 | 第52-59页 |
| 第五章 糠醛水相加氢催化反应的研究 | 第59-72页 |
| 5.1 前言 | 第59页 |
| 5.2 催化剂表征 | 第59-66页 |
| 5.2.1 催化剂的X-射线衍射(XRD)分析结果 | 第59-60页 |
| 5.2.2 催化剂表面酸性(NH_3-TPD)分析结果 | 第60-63页 |
| 5.2.3 催化剂的程序升温还原分析(H_2-TPR)分析结果 | 第63-65页 |
| 5.2.4 催化剂的透射电镜(TEM)分析结果 | 第65-66页 |
| 5.3 Ni/HY催化剂催化糠醛水相加氢反应工艺条件的研究 | 第66-72页 |
| 5.3.1 载体对糠醛水相加氢的影响 | 第66-67页 |
| 5.3.2 Ni负载量对糠醛水相加氢的影响 | 第67-68页 |
| 5.3.3 反应时间对糠醛水相加氢的影响 | 第68-69页 |
| 5.3.4 反应温度对糠醛水相加氢的影响 | 第69-70页 |
| 5.3.5 反应压力对糠醛水相加氢的影响 | 第70-71页 |
| 5.3.6 催化剂用量对糠醛水相加氢的影响 | 第71-72页 |
| 第六章 结论与展望 | 第72-74页 |
| 6.1 结论 | 第72页 |
| 6.2 展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
