| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 1 绪论 | 第6-10页 |
| 1.1 碳纳米管的结构 | 第6-7页 |
| 1.2 碳纳米管的特性 | 第7-8页 |
| 1.2.1 电学特性 | 第7-8页 |
| 1.2.2 光学特性 | 第8页 |
| 1.2.3 热学特性 | 第8页 |
| 1.2.4 力学特性 | 第8页 |
| 1.3 碳纳米管的应用 | 第8-10页 |
| 1.3.1 用于碳纳米管复合材料 | 第8-9页 |
| 1.3.2 用于电化学材料 | 第9页 |
| 1.3.3 用于碳纳米管传感器 | 第9页 |
| 1.3.4 用于碳纳米管场效应晶体管 | 第9-10页 |
| 2 场发射理论的介绍与应用 | 第10-21页 |
| 2.1 场致发射机理 | 第10-14页 |
| 2.1.1 金属电子发射简介 | 第10-11页 |
| 2.1.2 金属场致发射公式推导 | 第11-13页 |
| 2.1.3 半导体场致发射 | 第13页 |
| 2.1.4 碳纳米管场致发射机理 | 第13-14页 |
| 2.2 场致发射阴极结构 | 第14-16页 |
| 2.2.1 微尖阵列场致发射阴极 | 第14-16页 |
| 2.2.2 碳纳米管阵列场发射阴极 | 第16页 |
| 2.3 场致发射阴极的应用 | 第16-21页 |
| 2.3.1 显微技术 | 第16-17页 |
| 2.3.2 微波真空电子器件 | 第17页 |
| 2.3.3 场发射显示器（FED） | 第17-18页 |
| 2.3.4 场发射光源 | 第18-21页 |
| 3 碳纳米管场致发射性质仿真进展及本论文研究意义 | 第21-25页 |
| 3.1 碳纳米管场致发射性质仿真进展 | 第21-23页 |
| 3.2 本论文的研究意义 | 第23-25页 |
| 4 单根CNT底电极半径变化场致发射性质模拟仿真 | 第25-31页 |
| 4.1 模型建立 | 第25-27页 |
| 4.2 仿真结果与分析 | 第27-31页 |
| 4.2.1 电势分布 | 第27-28页 |
| 4.2.2 电场分布 | 第28-29页 |
| 4.2.3 场致发射电流随底电极半径变化情况 | 第29-31页 |
| 5 独立底电极碳纳米管阵列场致发射性质的研究 | 第31-53页 |
| 5.1 模型建立 | 第31-34页 |
| 5.2 碳纳米管半径r=30nm仿真结果与分析 | 第34-40页 |
| 5.2.1 独立底电极碳纳米管阵列电势分布 | 第34-35页 |
| 5.2.2 独立底电极碳纳米管阵列电场分布 | 第35-37页 |
| 5.2.3 场发射电流密度随碳纳米管阵列间距变化情况 | 第37-40页 |
| 5.3 碳纳米管半径r=20nm仿真结果与分析 | 第40-45页 |
| 5.3.1 独立底电极碳纳米管阵列电势分布 | 第40-41页 |
| 5.3.2 独立底电极碳纳米管阵列电场分布 | 第41-43页 |
| 5.3.3 场发射电流密度随碳纳米管阵列间距变化情况 | 第43-45页 |
| 5.4 碳纳米管半径r=15nm仿真结果与分析 | 第45-50页 |
| 5.4.1 独立底电极碳纳米管阵列电势分布 | 第45-46页 |
| 5.4.2 独立底电极碳纳米管阵列电场分布 | 第46-48页 |
| 5.4.3 场发射电流密度随碳纳米管阵列间距变化情况 | 第48-50页 |
| 5.5 独立底电极碳纳米管阵列仿真结果总结 | 第50-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
