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单壁碳纳米管水平阵列的可控制备、性能表征及应用研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第1章 引言第9-30页
    1.1 碳纳米管的概述第9-11页
    1.2 碳纳米管的制备第11-18页
        1.2.1 碳纳米管水平阵列的制备第11-13页
        1.2.2 高密度水平阵列的制备第13-15页
        1.2.3 碳纳米管的选择性制备第15-18页
    1.3 碳纳米管的表征手段第18-22页
        1.3.1 常用的表征手段第18-21页
        1.3.2 所有表征手段的优势和劣势第21-22页
    1.4 碳纳米管的转移第22-23页
    1.5 基于碳纳米管的电学器件第23-27页
        1.5.1 碳纳米管的逻辑器件第23-26页
        1.5.2 碳纳米管的柔性器件和全碳器件第26-27页
    1.6 论文的选题思路及主要内容第27-30页
        1.6.1 论文的选题思路第27-28页
        1.6.2 论文的主要内容第28-30页
第2章 单壁碳纳米管水平阵列的可控制备第30-48页
    2.1 石英基底上单壁碳纳米管水平阵列的制备第30-32页
        2.1.1 实验装置第30-31页
        2.1.2 制备的基本过程第31-32页
    2.2 单壁碳纳米管水平阵列的可控制备第32-38页
        2.2.1 催化剂的选择第32-35页
        2.2.2 升温环境的研究第35-36页
        2.2.3 还原过程的研究第36-37页
        2.2.4 生长过程的研究第37-38页
    2.3 生长过程中通水的研究第38-41页
        2.3.1 不同过程中通水对碳纳米管水平阵列生长的影响第38-39页
        2.3.2 通水量对碳纳米管水平阵列生长的影响第39-41页
    2.4 碳纳米管结的制备第41-46页
        2.4.1 碳纳米管结的介绍第41-42页
        2.4.2 碳纳米管结的可控制备第42-44页
        2.4.3 碳纳米管结的电学表征第44-46页
    2.5 本章小结第46-48页
第3章 单壁碳纳米管在扫描电子显微镜下的表征第48-72页
    3.1 单壁碳纳米管在扫描电子显微镜下的导电性表征第48-53页
    3.2 单壁碳纳米管在扫描电子显微镜下的带隙表征第53-66页
        3.2.1 扫描电子显微镜下Schottky势垒的成像第53-57页
        3.2.2 扫描电子显微镜下的亮线与带隙的关系第57-59页
        3.2.3 亮线形成的解释和讨论第59-61页
        3.2.4 不同金属接触下亮线变化的讨论第61-62页
        3.2.5 氧化对于亮线影响的讨论第62-64页
        3.2.6 扫描电子显微镜下表征带隙的应用第64-66页
    3.3 碳纳米管在扫描电子显微镜下的成像讨论第66-70页
        3.3.1 碳纳米管悬空与在基底上对成像的影响第66-67页
        3.3.2 碳纳米管自身的二次电子发射的讨论第67-70页
    3.4 本章小结第70-72页
第4章 单壁碳纳米管水平阵列的转移第72-86页
    4.1 基于PMMA的传统转移方法第72-74页
    4.2 金属辅助的单壁碳纳米管水平阵列的转移第74-77页
    4.3 金属辅助转移方法与传统转移方法的对比第77-82页
    4.4 金属辅助转移方法的讨论和应用第82-84页
    4.5 本章小结第84-86页
第5章 单壁碳纳米管的电学器件第86-105页
    5.1 制备电学器件的工艺讨论第86-93页
        5.1.1 刻蚀碳纳米管的讨论第86-90页
        5.1.2 碳纳米管与电极接触的讨论第90-92页
        5.1.3 碳纳米管水平阵列的电学表征第92-93页
    5.2 碳纳米管搭接的电学器件第93-100页
    5.3 金属性碳纳米管做电极的电学器件第100-104页
    5.4 本章小结第104-105页
第6章 总结与展望第105-108页
    6.1 主要工作的总结第105-107页
    6.2 未来工作的展望第107-108页
参考文献第108-122页
致谢第122-124页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第124页

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