摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第1章 引言 | 第9-30页 |
1.1 碳纳米管的概述 | 第9-11页 |
1.2 碳纳米管的制备 | 第11-18页 |
1.2.1 碳纳米管水平阵列的制备 | 第11-13页 |
1.2.2 高密度水平阵列的制备 | 第13-15页 |
1.2.3 碳纳米管的选择性制备 | 第15-18页 |
1.3 碳纳米管的表征手段 | 第18-22页 |
1.3.1 常用的表征手段 | 第18-21页 |
1.3.2 所有表征手段的优势和劣势 | 第21-22页 |
1.4 碳纳米管的转移 | 第22-23页 |
1.5 基于碳纳米管的电学器件 | 第23-27页 |
1.5.1 碳纳米管的逻辑器件 | 第23-26页 |
1.5.2 碳纳米管的柔性器件和全碳器件 | 第26-27页 |
1.6 论文的选题思路及主要内容 | 第27-30页 |
1.6.1 论文的选题思路 | 第27-28页 |
1.6.2 论文的主要内容 | 第28-30页 |
第2章 单壁碳纳米管水平阵列的可控制备 | 第30-48页 |
2.1 石英基底上单壁碳纳米管水平阵列的制备 | 第30-32页 |
2.1.1 实验装置 | 第30-31页 |
2.1.2 制备的基本过程 | 第31-32页 |
2.2 单壁碳纳米管水平阵列的可控制备 | 第32-38页 |
2.2.1 催化剂的选择 | 第32-35页 |
2.2.2 升温环境的研究 | 第35-36页 |
2.2.3 还原过程的研究 | 第36-37页 |
2.2.4 生长过程的研究 | 第37-38页 |
2.3 生长过程中通水的研究 | 第38-41页 |
2.3.1 不同过程中通水对碳纳米管水平阵列生长的影响 | 第38-39页 |
2.3.2 通水量对碳纳米管水平阵列生长的影响 | 第39-41页 |
2.4 碳纳米管结的制备 | 第41-46页 |
2.4.1 碳纳米管结的介绍 | 第41-42页 |
2.4.2 碳纳米管结的可控制备 | 第42-44页 |
2.4.3 碳纳米管结的电学表征 | 第44-46页 |
2.5 本章小结 | 第46-48页 |
第3章 单壁碳纳米管在扫描电子显微镜下的表征 | 第48-72页 |
3.1 单壁碳纳米管在扫描电子显微镜下的导电性表征 | 第48-53页 |
3.2 单壁碳纳米管在扫描电子显微镜下的带隙表征 | 第53-66页 |
3.2.1 扫描电子显微镜下Schottky势垒的成像 | 第53-57页 |
3.2.2 扫描电子显微镜下的亮线与带隙的关系 | 第57-59页 |
3.2.3 亮线形成的解释和讨论 | 第59-61页 |
3.2.4 不同金属接触下亮线变化的讨论 | 第61-62页 |
3.2.5 氧化对于亮线影响的讨论 | 第62-64页 |
3.2.6 扫描电子显微镜下表征带隙的应用 | 第64-66页 |
3.3 碳纳米管在扫描电子显微镜下的成像讨论 | 第66-70页 |
3.3.1 碳纳米管悬空与在基底上对成像的影响 | 第66-67页 |
3.3.2 碳纳米管自身的二次电子发射的讨论 | 第67-70页 |
3.4 本章小结 | 第70-72页 |
第4章 单壁碳纳米管水平阵列的转移 | 第72-86页 |
4.1 基于PMMA的传统转移方法 | 第72-74页 |
4.2 金属辅助的单壁碳纳米管水平阵列的转移 | 第74-77页 |
4.3 金属辅助转移方法与传统转移方法的对比 | 第77-82页 |
4.4 金属辅助转移方法的讨论和应用 | 第82-84页 |
4.5 本章小结 | 第84-86页 |
第5章 单壁碳纳米管的电学器件 | 第86-105页 |
5.1 制备电学器件的工艺讨论 | 第86-93页 |
5.1.1 刻蚀碳纳米管的讨论 | 第86-90页 |
5.1.2 碳纳米管与电极接触的讨论 | 第90-92页 |
5.1.3 碳纳米管水平阵列的电学表征 | 第92-93页 |
5.2 碳纳米管搭接的电学器件 | 第93-100页 |
5.3 金属性碳纳米管做电极的电学器件 | 第100-104页 |
5.4 本章小结 | 第104-105页 |
第6章 总结与展望 | 第105-108页 |
6.1 主要工作的总结 | 第105-107页 |
6.2 未来工作的展望 | 第107-108页 |
参考文献 | 第108-122页 |
致谢 | 第122-124页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第124页 |