| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-28页 |
| ·一维纳米材料概述 | 第9-11页 |
| ·一维纳米材料特性 | 第9-10页 |
| ·一维纳米材料制备方法 | 第10-11页 |
| ·一维纳米材料的应用 | 第11页 |
| ·In_2Se_3 材料的概述 | 第11-18页 |
| ·In_2Se_3 材料结构与性质 | 第11-14页 |
| ·In_2Se_3 纳米线材料的研究现状 | 第14-16页 |
| ·In_2Se_3 纳米线材料的应用 | 第16-18页 |
| ·研究方法及实验设备 | 第18-20页 |
| ·研究意义与研究内容 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-28页 |
| 第2章 In_2Se_3纳米线的制备 | 第28-36页 |
| ·实验材料 | 第28页 |
| ·In_2Se_3 纳米线的制备方法 | 第28-29页 |
| ·In_2Se_3 纳米线合成过程中的影响因素 | 第29-33页 |
| ·温度对In_2Se_3 纳米线材料的合成的影响 | 第29-30页 |
| ·压力对In_2Se_3 纳米线材料的合成的影响 | 第30-31页 |
| ·气流量对In_2Se_3 纳米线材料的合成的影响 | 第31-32页 |
| ·催化剂对In_2Se_3 纳米线材料的合成的影响 | 第32-33页 |
| ·In_2Se_3 纳米线材料的生长机理 | 第33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第3章 In_2Se_3纳米线材料的结构性能表征 | 第36-43页 |
| ·In_2Se_3 纳米线的晶体结构表征 | 第36-37页 |
| ·In_2Se_3 纳米线的化学组成分析及微观结构表征 | 第37-39页 |
| ·In_2Se_3 纳米线的表面电子结构 | 第39-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第4章 In_2Se_3纳米线材料的相变过程研究 | 第43-49页 |
| ·原位同步辐射XRD 的介绍 | 第43页 |
| ·In_2Se_3 纳米线的变温同步辐射XRD 分析 | 第43-44页 |
| ·基于密度泛含理论的In_2Se_3 纳米线材料的晶体及相变过程的模拟 | 第44-46页 |
| ·退火前后In_2Se_3 纳米线的电学性能比较 | 第46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第5章 In_2Se_3纳米线材料的光敏特性的研究 | 第49-56页 |
| ·In_2Se_3 纳米线材料的光敏应用 | 第49页 |
| ·In_2Se_3 纳米线材料的紫外吸收谱分析 | 第49-50页 |
| ·In_2Se_3 纳米线材料光敏器件的组装和测量 | 第50-51页 |
| ·器件的组装方法和过程 | 第50-51页 |
| ·器件的测量及仪器使用 | 第51页 |
| ·影响光敏特性的因素 | 第51-54页 |
| ·光强对光电流强度的影响 | 第51-52页 |
| ·波长对光电流强度的影响 | 第52-53页 |
| ·温度对光电流强度的影响 | 第53-54页 |
| ·电压对光电流强度的影响 | 第54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第6章 结论及展望 | 第56-58页 |
| ·结论 | 第56-57页 |
| ·展望 | 第57-58页 |
| 攻读硕士学位期间的科研成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
