用于穿戴式设备的纳米CMOS低功耗LNA研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-12页 |
| 1.3 研究内容与设计指标 | 第12-14页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第12-13页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第13-14页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第14-16页 |
| 第2章 低功耗蓝牙分析 | 第16-24页 |
| 2.1 短距离无线通信协议分析 | 第16-17页 |
| 2.2 低功耗蓝牙接收机的架构选择 | 第17-21页 |
| 2.2.1 超外差结构 | 第17-18页 |
| 2.2.2 零中频结构 | 第18-19页 |
| 2.2.3 宽中频结构 | 第19-20页 |
| 2.2.4 低中频结构 | 第20页 |
| 2.2.5 数字中频结构 | 第20-21页 |
| 2.3 低功耗蓝牙接收机的架构选择 | 第21-23页 |
| 2.3.1 低功耗蓝牙接收机指标分析 | 第21-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 低噪声放大器设计 | 第24-50页 |
| 3.1 低噪声放大器的性能指标 | 第24-26页 |
| 3.1.1 噪声系数 | 第24页 |
| 3.1.2 增益 | 第24-25页 |
| 3.1.3 输入阻抗匹配与输出阻抗匹配 | 第25页 |
| 3.1.4 反向额隔离度 | 第25页 |
| 3.1.5 稳定性 | 第25-26页 |
| 3.1.6 工作带宽 | 第26页 |
| 3.1.7 线性度 | 第26页 |
| 3.2 噪声及有源器件 | 第26-31页 |
| 3.2.1 MOSFET噪声 | 第27-29页 |
| 3.2.2 二端口噪声噪声理论 | 第29-31页 |
| 3.3 常见低噪声放大器结构 | 第31-34页 |
| 3.3.1 共栅极结构 | 第31-32页 |
| 3.3.2 自偏置结构 | 第32-34页 |
| 3.4 共源共栅结构 | 第34-39页 |
| 3.4.1 输入阻抗与增益计算 | 第35-36页 |
| 3.4.2 噪声系数计算 | 第36-39页 |
| 3.5 共源共栅电路优化 | 第39-43页 |
| 3.5.1 静态工作点优化 | 第39-40页 |
| 3.5.2 栅极电容优化 | 第40页 |
| 3.5.3 电感优化 | 第40-43页 |
| 3.6 低噪声放大器仿真结果 | 第43-47页 |
| 3.7 本章小结 | 第47-50页 |
| 第4章 低噪声放大器设计 | 第50-60页 |
| 4.1 射频集成电路版图设计 | 第50-54页 |
| 4.1.1 版图中的寄生及优化 | 第50-51页 |
| 4.1.2 匹配设计 | 第51-52页 |
| 4.1.3 焊盘寄生 | 第52-54页 |
| 4.1.4 ESD防护电路对射频电路的影响 | 第54页 |
| 4.2 低噪声放大器的版图及后仿指标 | 第54-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第5章 芯片测试 | 第60-72页 |
| 5.1 测试分类 | 第60页 |
| 5.2 低噪声放大器测试系统构建 | 第60-70页 |
| 5.2.1 低噪声放大器静态工作点测试 | 第61-62页 |
| 5.2.2 低噪声放大器S参数测试 | 第62-63页 |
| 5.2.3 低噪声放大器噪声系数测试 | 第63-64页 |
| 5.2.4 低噪声放大器输入1dB压缩点测试 | 第64-65页 |
| 5.2.5 低噪声放大器输入三阶截点测试 | 第65-69页 |
| 5.2.6 测试结果分析 | 第69-70页 |
| 5.3 本章小结 | 第70-72页 |
| 第6章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 6.1 总结 | 第72-73页 |
| 6.2 展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
