| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 软磁材料研究进展 | 第9-12页 |
| 1.2.1 软磁材料 | 第9-11页 |
| 1.2.2 高频软磁薄膜 | 第11-12页 |
| 1.3 FeSiAl软磁合金 | 第12-15页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第15页 |
| 参考文献 | 第15-18页 |
| 第二章 理论基础 | 第18-32页 |
| 2.1 物质的磁性 | 第18-20页 |
| 2.1.1 磁化 | 第18-19页 |
| 2.1.2 磁化率和磁导率 | 第19-20页 |
| 2.1.3 自发磁化 | 第20页 |
| 2.2 磁各向异性理论 | 第20-23页 |
| 2.2.1 磁晶各向异性 | 第20-21页 |
| 2.2.2 磁致伸缩与应力各向异性 | 第21-22页 |
| 2.2.3 感生各向异性 | 第22页 |
| 2.2.4 形状各向异性 | 第22-23页 |
| 2.3 随机各向异性 | 第23-25页 |
| 2.4 软磁薄膜的高频理论 | 第25-27页 |
| 2.5 损耗机制 | 第27-31页 |
| 2.5.1 磁滞损耗 | 第27-28页 |
| 2.5.2 涡流损耗 | 第28-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第三章 薄膜的制备与表征 | 第32-47页 |
| 3.1 溅射镀膜 | 第32-34页 |
| 3.1.1 溅射原理 | 第32-33页 |
| 3.1.2 反应溅射 | 第33页 |
| 3.1.3 薄膜的生长方式 | 第33-34页 |
| 3.2 样品制备与表征 | 第34-45页 |
| 3.2.1 X射线衍射仪 | 第35页 |
| 3.2.2 扫描电子显微镜 | 第35-36页 |
| 3.2.3 透射电子显微镜 | 第36页 |
| 3.2.4 原子力显微镜 | 第36-37页 |
| 3.2.5 台阶仪 | 第37页 |
| 3.2.6 振动样品磁强计 | 第37-39页 |
| 3.2.7 矢量网络分析仪 | 第39-40页 |
| 3.2.8 X射线光电子能谱仪 | 第40-41页 |
| 3.2.9 电子自旋共振谱仪 | 第41-45页 |
| 3.2.10 四探针法测电阻 | 第45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第四章 溅射工艺对FeSi Al薄膜性能的影响 | 第47-72页 |
| 4.1 溅射气压对FeSiAl薄膜的影响 | 第47-51页 |
| 4.2 沉积薄膜厚度对Fe SiAl静磁特性的影响 | 第51-55页 |
| 4.3 倾斜溅射诱导FeSiAl薄膜的各向异性 | 第55-62页 |
| 4.3.1 倾斜溅射诱导各向异性 | 第55-59页 |
| 4.3.2 沉积过程中衬底温度对FeSiAl薄膜各向异性的影响 | 第59-62页 |
| 4.4 FeSiAl薄膜的噪声抑制特性 | 第62-69页 |
| 4.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 第五章 氮掺杂FeSiAl(N)薄膜的磁性与高频特性 | 第72-93页 |
| 5.1 反应溅射制备氮掺杂的FeSiAl(N)薄膜 | 第72-81页 |
| 5.1.1 反应溅射FeSiAl(N)薄膜的结构、形貌分析 | 第72-76页 |
| 5.1.2 反应溅射FeSiAl(N)薄膜的静/动态磁性分析 | 第76-80页 |
| 5.1.3 反应溅射FeSiAl(N)薄膜的电阻率分析 | 第80-81页 |
| 5.2 倾斜溅射诱导FeSiAlN薄膜的各向异性 | 第81-83页 |
| 5.3 磁场热处理FeSiAlN薄膜 | 第83-90页 |
| 5.3.1 退火温度对FeSiAlN薄膜性能的影响 | 第83-88页 |
| 5.3.2 诱导场大小、退火时间对FeSiAlN薄膜性能的影响 | 第88-90页 |
| 5.4 本章小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 第六章 总结 | 第93-95页 |
| 6.1 主要结论 | 第93-94页 |
| 6.2 展望 | 第94-95页 |
| 在学期间的研究成果 | 第95-96页 |
| 致谢 | 第96页 |
