埋栅4H-SiC静电感应晶体管结构设计优化和特性研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 选课背景 | 第10-12页 |
| 1.2 半导体材料的发展 | 第12-14页 |
| 1.3 SIT的发展以及SiC SIT的现状 | 第14-15页 |
| 1.4 本文研究意义及主要工作内容 | 第15-18页 |
| 2 SIT原理分析和模拟研究 | 第18-34页 |
| 2.1 静电感应器件种类及静电感应晶体管分类 | 第18-21页 |
| 2.2 静电感应晶体管工作原理及优良性能分析 | 第21-25页 |
| 2.3 仿真软件silvaco_TCAD说明 | 第25-28页 |
| 2.4 模拟方法及基本方程 | 第28-29页 |
| 2.5 软件相关模型 | 第29-33页 |
| 2.5.1 材料特性的模型和参数 | 第29-32页 |
| 2.5.2 边界条件 | 第32-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 3 SiC材料的研究进展 | 第34-39页 |
| 3.1 SiC材料基本特性 | 第34-35页 |
| 3.2 材料参数对器件影响 | 第35-37页 |
| 3.3 器件初始参数设置 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 4 关键工艺讨论及工艺仿真 | 第39-52页 |
| 4.1 关键工艺 | 第39-42页 |
| 4.1.1 离子注入和退火 | 第39-40页 |
| 4.1.2 金属化 | 第40-41页 |
| 4.1.3 刻蚀 | 第41页 |
| 4.1.4 可行性讨论 | 第41-42页 |
| 4.2 工艺仿真及参数优化 | 第42-51页 |
| 4.2.1 网格定义 | 第42-43页 |
| 4.2.2 氧化 | 第43页 |
| 4.2.3 掺杂 | 第43-50页 |
| 4.2.4 工艺参数的优化 | 第50-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 5 器件仿真及性能分析 | 第52-72页 |
| 5.1 类五极管特性 | 第52-56页 |
| 5.2 类三极管特性 | 第56-59页 |
| 5.3 影响直流特性的各种结构参数 | 第59-67页 |
| 5.3.1 沟道掺杂浓度 | 第60-61页 |
| 5.3.2 沟道长度 | 第61-62页 |
| 5.3.3 沟道宽度 | 第62-64页 |
| 5.3.4 漂移区厚度 | 第64-65页 |
| 5.3.5 漂移区浓度 | 第65-67页 |
| 5.4 杂质不完全离化对器件性能的影响 | 第67-70页 |
| 5.5 优化后的器件模型 | 第70-71页 |
| 5.6 本章小结 | 第71-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第77页 |
