| 摘要 | 第9-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 引言 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| 1.1 研究背景 | 第14-15页 |
| 1.2 离子注入技术概述 | 第15-16页 |
| 1.3 离子注入机的结构以及工作原理 | 第16页 |
| 1.4 离子注入的射程理论以及模拟 | 第16-18页 |
| 1.4.1 离子注入的射程理论 | 第16-17页 |
| 1.4.2 离子注入过程的程序模拟 | 第17-18页 |
| 1.5 离子注入在材料制备与改性方面的研究现状 | 第18-23页 |
| 1.5.1 离子注入制备金属纳米颗粒方面的研究 | 第18-21页 |
| 1.5.2 离子注入在材料掺杂改性方面的研究简介 | 第21-23页 |
| 1.6 本论文研究工作的侧重点 | 第23-25页 |
| 本章小结 | 第25-26页 |
| 第二章 样品制备及表征方法 | 第26-31页 |
| 2.1 样品制备所用仪器 | 第26-29页 |
| 2.1.1 MEVVA源离子注入机 | 第26页 |
| 2.1.2 化学气相沉积系统 | 第26-27页 |
| 2.1.3 电子束曝光系统 | 第27-28页 |
| 2.1.4 聚焦离子束系统 | 第28-29页 |
| 2.2 样品表征方法 | 第29-30页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜 | 第29页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜 | 第29-30页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱 | 第30页 |
| 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 离子注入制备的金属纳米颗粒在电学以及光学方面应用 | 第31-71页 |
| 3.1 钨纳米颗粒内嵌的SiO_2阻变存储器研制 | 第31-56页 |
| 3.1.1 新型存储器的简介 | 第31-35页 |
| 3.1.1.1 铁电存储器 | 第31-32页 |
| 3.1.1.2 磁性存储器 | 第32-33页 |
| 3.1.1.3 相变存储器 | 第33-34页 |
| 3.1.1.4 阻变存储器 | 第34-35页 |
| 3.1.2 氧化物基阻变存储器的研究现状 | 第35-36页 |
| 3.1.3 基于钨颗粒内嵌的SiO_2存储器构筑方法 | 第36-40页 |
| 3.1.3.1 二氧化硅薄膜的制备 | 第36-38页 |
| 3.1.3.2 钨颗粒的嵌入方法 | 第38-39页 |
| 3.1.3.3 Au/Cr/SiO_2：W/doped-Si器件的构建 | 第39-40页 |
| 3.1.4 WNPs-SiO_2复合薄膜的结构与成分分析 | 第40-43页 |
| 3.1.4.1 WNPs-SiO_2复合薄膜的TEM以及EDS表征 | 第40-42页 |
| 3.1.4.2 WNPs-SiO_2复合薄膜的XPS表征 | 第42-43页 |
| 3.1.5 Au/Cr/SiO_2：W/doped-Si器件电阻转变特性及机理研究 | 第43-56页 |
| 3.1.5.1 电学性能测试 | 第43-46页 |
| 3.1.5.2 Au/Cr/SiO_2：W/doped-Si结构RRAM的阻变机理 | 第46-50页 |
| 3.1.5.3 器件的极性问题 | 第50-51页 |
| 3.1.5.4 器件的自限流与Forming-free特性 | 第51-53页 |
| 3.1.5.5 氧空位浓度的估算 | 第53-54页 |
| 3.1.5.6 器件的耐久性、保持特性测试以及电子传输机制 | 第54-56页 |
| 3.2 Ag纳米颗粒阵列的SERS应用 | 第56-68页 |
| 3.2.1 表面增强拉曼散射简介 | 第56-59页 |
| 3.2.1.1 表面增强拉曼散射的原理 | 第57-58页 |
| 3.2.1.2 SERS增强基底的制备与应用 | 第58-59页 |
| 3.2.2 离子注入在表面增强拉曼方面的研究现状 | 第59-60页 |
| 3.2.3 Ag纳米颗粒阵列的制备与表征 | 第60-62页 |
| 3.2.3.1 Ag纳米颗粒阵列的制备 | 第60-61页 |
| 3.2.3.2 SRIM模拟注入过程 | 第61-62页 |
| 3.2.3.3 样品表征 | 第62页 |
| 3.2.4 Ag纳米颗粒阵列的SERS性能检测 | 第62-68页 |
| 3.2.4.1 不同注入条件下样品的形貌及其SERS性能 | 第62-64页 |
| 3.2.4.2 不同退火条件下样品的形貌以及SERS性能 | 第64-66页 |
| 3.2.4.3 Ag纳米颗粒阵列检测R6G分子 | 第66-67页 |
| 3.2.4.4 衬底均匀性与洁净性分析 | 第67-68页 |
| 本章小结 | 第68-71页 |
| 第四章 离子束在调控纳米线的电学与光学性能方面的应用 | 第71-95页 |
| 4.1 镓离子束调控氧化物纳米线场效应管的阈值电压 | 第71-89页 |
| 4.1.1 氧化物纳米线简介 | 第71-73页 |
| 4.1.2 氧化物纳米线场效应管的研究现状 | 第73-76页 |
| 4.1.3 In_2O_3、SnO_2纳米线场效应管的构建 | 第76-80页 |
| 4.1.3.1 In_2O_3、SnO_2纳米线的制备与表征 | 第76-78页 |
| 4.1.3.2 器件构建方法 | 第78-80页 |
| 4.1.3.3 单根In_2O_3和SnO_2纳米线的电学性能表征 | 第80页 |
| 4.1.4 辐照调制场效应管的阈值电压 | 第80-87页 |
| 4.1.4.1 原位辐照技术的实现 | 第80-81页 |
| 4.1.4.2 镓离子束辐照In2O_3纳米线场效应管 | 第81-86页 |
| 4.1.4.3 镓离子束辐照SnO_2纳米线场效应管 | 第86-87页 |
| 4.1.5 镓离子束辐照的阈值调控机理 | 第87-89页 |
| 4.2 离子束调控硫化镉纳米线的发光性能 | 第89-93页 |
| 4.2.1 硫化镉纳米线研究简介 | 第89-90页 |
| 4.2.2 硫化镉纳米线的制备与表征 | 第90-91页 |
| 4.2.3 原位掺杂单根硫化镉纳米线的技术实现 | 第91-92页 |
| 4.2.4 N~+离子束原位掺杂硫化镉纳米线 | 第92-93页 |
| 本章小结 | 第93-95页 |
| 第五章 总结与展望 | 第95-98页 |
| 参考文献 | 第98-112页 |
| 博士期间发表论文 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114页 |
