| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-36页 |
| 1.1 半导体存储器市场现状 | 第12-13页 |
| 1.2 存储器的分类 | 第13-16页 |
| 1.3 Flash存储器研究进展 | 第16-19页 |
| 1.3.1 电荷俘获存储器的结构 | 第16-18页 |
| 1.3.2 电荷俘获型存储器工作原理 | 第18-19页 |
| 1.4 电荷俘获型存储器的性能指标 | 第19-23页 |
| 1.4.1 电荷俘获型存储器的电荷存储密度 | 第19-20页 |
| 1.4.2 电荷俘获型存储器的写入/擦除速度 | 第20-21页 |
| 1.4.3 电荷俘获型存储器的疲劳特性 | 第21-22页 |
| 1.4.4 电荷俘获型存储器的保持特性 | 第22页 |
| 1.4.5 电荷俘获型存储器的功耗 | 第22-23页 |
| 1.5 电荷俘获型存储器的最新进展 | 第23-29页 |
| 1.5.1 high-k材料引入 | 第23-26页 |
| 1.5.2 二维材料在电荷俘获型存储器中的应用 | 第26-27页 |
| 1.5.3 量子点在电荷俘获存储器中的应用 | 第27-28页 |
| 1.5.4 有机高分子材料在电荷俘获存储器中的应用 | 第28-29页 |
| 1.6 本论文的意义 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-36页 |
| 第二章 薄膜的制备与表征 | 第36-46页 |
| 2.1 原子层沉积隧穿层及阻挡层氧化铝 | 第36-38页 |
| 2.2 磁控溅射存储层的参数标定及薄膜表征 | 第38-41页 |
| 2.2.1 气压、气氛对(Ta_2O_5)x(TiO_2)_(1-x)薄膜溅射的影响 | 第39-40页 |
| 2.2.2 不同组分(Ta_2O_5)_x(TiO_2)_(1-x)靶材的溅射速率 | 第40-41页 |
| 2.3 存储器件电学性能测试系统介绍 | 第41页 |
| 2.4 其他表征(Ta_2O_5)_x(TiO_2)_(1-x)薄膜的相关设备简介 | 第41-42页 |
| 2.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 第三章 Ta_2O_5/TiO_2复合电荷俘获介质在非易失性存储器中的应用 | 第46-64页 |
| 3.1 引言 | 第46-47页 |
| 3.2 (Ta_2O_5)_x(TiO_2)_(1-x)为存储层介质的CTM器件的制备 | 第47-48页 |
| 3.3 器件表征分析 | 第48-50页 |
| 3.4 器件的存储性能分析 | 第50-60页 |
| 3.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 第四章 隧穿层Al_2O_3厚度对CTM器件性能的影响 | 第64-78页 |
| 4.1 引言 | 第64-65页 |
| 4.2 不同隧穿层厚度CTM器件的制备 | 第65-66页 |
| 4.3 不同隧穿层厚度CTM器件的性能及分析 | 第66-71页 |
| 4.4 基于IGZO沟道的CTM器件研究 | 第71-73页 |
| 4.5 本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 第五章 结论与展望 | 第78-82页 |
| 5.1 本文结论 | 第78-79页 |
| 5.2 未来工作的展望 | 第79-82页 |
| 硕士期间论文成果 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
