| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-33页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 纳米材料概述 | 第11页 |
| 1.3 三氧化二镓的结构 | 第11-12页 |
| 1.4 三氧化二镓的制备 | 第12-16页 |
| 1.4.1 水热法合成 | 第13-14页 |
| 1.4.2 溶胶凝胶法 | 第14-15页 |
| 1.4.3 溶剂热法 | 第15页 |
| 1.4.4 激光烧蚀法 | 第15页 |
| 1.4.5 化学气相沉积法 | 第15-16页 |
| 1.5 三氧化二镓的光学性能 | 第16-18页 |
| 1.6 三氧化二镓的应用 | 第18-20页 |
| 1.6.1 日盲紫外探测 | 第18页 |
| 1.6.2 光致发光 | 第18-19页 |
| 1.6.3 光催化 | 第19页 |
| 1.6.4 有机催化 | 第19页 |
| 1.6.5 气敏传感器 | 第19-20页 |
| 1.6.6 透明导电薄膜 | 第20页 |
| 1.7 三氧化二镓在日盲探测中的应用 | 第20-28页 |
| 1.7.1 日盲紫外探测概述 | 第20-21页 |
| 1.7.2 日盲探测应用的研究现状和发展历程 | 第21-23页 |
| 1.7.3 常见的宽禁带半导体材料 | 第23-24页 |
| 1.7.4 宽禁带半导体的合成及其在紫外探测中的应用 | 第24-27页 |
| 1.7.5 三氧化二镓紫外探测应用的研究现状 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-33页 |
| 第二章 配位驱动的γ-Ga_2O_3纳米球的绿色合成 | 第33-55页 |
| 2.1 引言 | 第33-35页 |
| 2.2 实验部分 | 第35页 |
| 2.2.1 试剂 | 第35页 |
| 2.2.2 材料的表征 | 第35页 |
| 2.2.3 材料的制备 | 第35页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第35-52页 |
| 2.3.1 γ-Ga_2O_3多级结构纳米球的合成与表征 | 第36-37页 |
| 2.3.2 γ-Ga_2O_3的形成机制 | 第37-52页 |
| 2.4 结论与展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第三章 γ-Ga_2O_3纳米球的日盲探测研究 | 第55-65页 |
| 3.1 引言 | 第55-57页 |
| 3.2 实验部分 | 第57页 |
| 3.2.1 三氧化二镓的光致发光测试 | 第57页 |
| 3.2.2 三氧化二镓的日盲探测测试 | 第57页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第57-62页 |
| 3.3.1 γ-Ga_2O_3纳米球的光致发光性能 | 第57-59页 |
| 3.3.2 γ-Ga_2O_3纳米球的日盲探测研究 | 第59-62页 |
| 3.4 结论与展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 论文发表情况 | 第66页 |
