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气体循环直流旋转电弧等离子体喷射法生长金刚石大单晶研究

致谢第1-6页
摘要第6-7页
Abstract第7-12页
1 引言第12-17页
2 文献综述第17-46页
   ·金刚石的结构、性能及应用第17-21页
     ·金刚石的结构第17-19页
     ·金刚石的性能及应用第19-21页
   ·金刚石的合成第21-26页
     ·天然第21-22页
     ·HPHT金刚石第22-24页
     ·CVD金刚石第24-26页
   ·CVD金刚石单晶发展历史及现状第26-30页
     ·CVD金刚石单晶发展历史第26-27页
     ·国内外CVD金刚石研究现状第27-29页
     ·CVD金刚石单晶的应用与市场第29-30页
   ·CVD金刚石单晶质量控制因素第30-38页
     ·籽晶质量和取向第30-31页
     ·籽晶表面预处理第31-32页
     ·沉积台及籽晶放置方式第32-34页
     ·CVD金刚石单晶沉积工艺控制第34-35页
     ·CVD金刚石单晶退火处理第35-37页
     ·CVD金刚石单晶分离第37-38页
   ·CVD金刚石单晶生长模式第38-40页
   ·CVD金刚石单晶掺杂和缺陷第40-43页
     ·CVD金刚石单晶掺杂第40-42页
     ·CVD金刚石单晶中的缺陷第42-43页
   ·CVD金刚石大“单晶”生长第43-46页
3 研究内容与实验方法第46-56页
   ·研究内容第46-47页
   ·实验方法第47-56页
     ·单晶生长设备和晶种第47-49页
     ·金刚石晶种在钼样品台上的放置方式和热接触控制第49页
     ·CVD金刚石单晶加工第49-51页
     ·金刚石单晶分析和表征第51-55页
     ·金刚石探测器制作与表征第55-56页
4 生长工艺参数对DC Arc Plasma Jet CVD金刚石单晶外延生长的影响第56-90页
   ·功率密度第58-64页
   ·衬底温度第64-67页
   ·甲烷浓度第67-70页
   ·氮掺杂第70-78页
   ·预处理第78-82页
   ·晶种表面质量第82-88页
   ·小结第88-90页
5 CVD金刚石单晶界面特征及分析第90-100页
   ·CVD金刚石单晶界面应力状态及分布第91-94页
   ·CVD金刚石单晶界面缺陷类型及分布第94-98页
   ·CVD金刚石单晶界面特征产生原因分析第98-99页
   ·小结第99-100页
6 CVD金刚石单晶生长中的失稳和控制第100-114页
   ·CVD金刚石单晶生长中的失稳现象及原因分析第100-104页
   ·CVD金刚石单晶生长中失稳控制第104-113页
     ·CVD金刚石单晶off-angle生长第105-108页
     ·CVD金刚石单晶3D模式生长第108-113页
   ·小结第113-114页
7 DC Arc Plasma Jet CVD大尺寸金刚石单晶生长及性能研究第114-124页
   ·DC Arc Plasma Jet CVD大尺寸金刚石单晶生长第114-116页
   ·DC Arc Plasma Jet CVD金刚石单晶性能研究第116-122页
     ·X-射线衍射第116页
     ·PL谱第116-119页
     ·UV-visible-IR谱第119-122页
   ·小结第122-124页
8 DC Arc Plasma Jet CVD金刚石单晶探测器第124-129页
   ·探测器制作第125-126页
   ·探测器电学性能第126-128页
   ·小结第128-129页
9 结论第129-132页
10 论文主要创新点第132-133页
参考文献第133-152页
作者简历及在学研究成果第152-156页
学位论文数据集第156页

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