致谢 | 第1-6页 |
摘要 | 第6-7页 |
Abstract | 第7-12页 |
1 引言 | 第12-17页 |
2 文献综述 | 第17-46页 |
·金刚石的结构、性能及应用 | 第17-21页 |
·金刚石的结构 | 第17-19页 |
·金刚石的性能及应用 | 第19-21页 |
·金刚石的合成 | 第21-26页 |
·天然 | 第21-22页 |
·HPHT金刚石 | 第22-24页 |
·CVD金刚石 | 第24-26页 |
·CVD金刚石单晶发展历史及现状 | 第26-30页 |
·CVD金刚石单晶发展历史 | 第26-27页 |
·国内外CVD金刚石研究现状 | 第27-29页 |
·CVD金刚石单晶的应用与市场 | 第29-30页 |
·CVD金刚石单晶质量控制因素 | 第30-38页 |
·籽晶质量和取向 | 第30-31页 |
·籽晶表面预处理 | 第31-32页 |
·沉积台及籽晶放置方式 | 第32-34页 |
·CVD金刚石单晶沉积工艺控制 | 第34-35页 |
·CVD金刚石单晶退火处理 | 第35-37页 |
·CVD金刚石单晶分离 | 第37-38页 |
·CVD金刚石单晶生长模式 | 第38-40页 |
·CVD金刚石单晶掺杂和缺陷 | 第40-43页 |
·CVD金刚石单晶掺杂 | 第40-42页 |
·CVD金刚石单晶中的缺陷 | 第42-43页 |
·CVD金刚石大“单晶”生长 | 第43-46页 |
3 研究内容与实验方法 | 第46-56页 |
·研究内容 | 第46-47页 |
·实验方法 | 第47-56页 |
·单晶生长设备和晶种 | 第47-49页 |
·金刚石晶种在钼样品台上的放置方式和热接触控制 | 第49页 |
·CVD金刚石单晶加工 | 第49-51页 |
·金刚石单晶分析和表征 | 第51-55页 |
·金刚石探测器制作与表征 | 第55-56页 |
4 生长工艺参数对DC Arc Plasma Jet CVD金刚石单晶外延生长的影响 | 第56-90页 |
·功率密度 | 第58-64页 |
·衬底温度 | 第64-67页 |
·甲烷浓度 | 第67-70页 |
·氮掺杂 | 第70-78页 |
·预处理 | 第78-82页 |
·晶种表面质量 | 第82-88页 |
·小结 | 第88-90页 |
5 CVD金刚石单晶界面特征及分析 | 第90-100页 |
·CVD金刚石单晶界面应力状态及分布 | 第91-94页 |
·CVD金刚石单晶界面缺陷类型及分布 | 第94-98页 |
·CVD金刚石单晶界面特征产生原因分析 | 第98-99页 |
·小结 | 第99-100页 |
6 CVD金刚石单晶生长中的失稳和控制 | 第100-114页 |
·CVD金刚石单晶生长中的失稳现象及原因分析 | 第100-104页 |
·CVD金刚石单晶生长中失稳控制 | 第104-113页 |
·CVD金刚石单晶off-angle生长 | 第105-108页 |
·CVD金刚石单晶3D模式生长 | 第108-113页 |
·小结 | 第113-114页 |
7 DC Arc Plasma Jet CVD大尺寸金刚石单晶生长及性能研究 | 第114-124页 |
·DC Arc Plasma Jet CVD大尺寸金刚石单晶生长 | 第114-116页 |
·DC Arc Plasma Jet CVD金刚石单晶性能研究 | 第116-122页 |
·X-射线衍射 | 第116页 |
·PL谱 | 第116-119页 |
·UV-visible-IR谱 | 第119-122页 |
·小结 | 第122-124页 |
8 DC Arc Plasma Jet CVD金刚石单晶探测器 | 第124-129页 |
·探测器制作 | 第125-126页 |
·探测器电学性能 | 第126-128页 |
·小结 | 第128-129页 |
9 结论 | 第129-132页 |
10 论文主要创新点 | 第132-133页 |
参考文献 | 第133-152页 |
作者简历及在学研究成果 | 第152-156页 |
学位论文数据集 | 第156页 |