摘要 | 第1-9页 |
Abstract | 第9-11页 |
第一章 绪论 | 第11-17页 |
·研究背景 | 第11-12页 |
·研究现状 | 第12-15页 |
·石墨烯及其纳米结构的发现和电学性质的研究 | 第12-13页 |
·Pt 等贵金属原子的催化 | 第13-15页 |
·关于 VS_2等其他二维材料研究 | 第15页 |
·论文在纳米材料性质方面的研究意义 | 第15-17页 |
第二章 理论计算方法简介 | 第17-25页 |
·密度泛函理论 | 第17-20页 |
·Hohenberg-Kohn 定理 | 第18-19页 |
·Kohn-Sham 方程 | 第19-20页 |
·赝势方法 | 第20-23页 |
·VASP 软件包简介 | 第23-25页 |
第三章 石墨烯超晶格能带工程中简并微扰和反演对称性的作用 | 第25-37页 |
·引言 | 第25-26页 |
·计算方法 | 第26页 |
·结果和讨论 | 第26-34页 |
·结论 | 第34-37页 |
第四章 高对称性反点阵石墨烯超晶格的电子和磁学性质 | 第37-49页 |
·引言 | 第37-38页 |
·计算方法 | 第38页 |
·结果和讨论 | 第38-47页 |
·三类反点阵的几何结构 | 第38-41页 |
·非磁性反点阵形成的非磁性超晶格 | 第41-44页 |
·MGS1 和 MGS_2 反点阵构成的磁性超晶格结构 | 第44-46页 |
·颈宽对能隙的影响 | 第46-47页 |
·总结 | 第47-49页 |
第五章 Pt 团簇在石墨烯、氧化石墨烯上的吸附 | 第49-57页 |
·引言 | 第49页 |
·计算方法 | 第49-50页 |
·结果与讨论 | 第50-55页 |
·结论 | 第55-57页 |
第六章 过渡金属化合物 VS_2二维片、带、管能带结构和能隙调制规律 | 第57-69页 |
·引言 | 第57-58页 |
·模型与方法 | 第58-59页 |
·结果与讨论 | 第59-67页 |
·H 型 VS_2结构的两种纳米带 | 第59-62页 |
·T 型 VS_2结构的两种纳米带 | 第62-64页 |
·H 型 VS_2结构的两种纳米管 | 第64-66页 |
·T 型 VS_2结构的两种纳米管 | 第66-67页 |
·结论 | 第67-69页 |
第七章 结论与展望 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-79页 |
致谢 | 第79-81页 |
附录 | 第81-82页 |