| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 1 引言 | 第11-31页 |
| ·激光技术 | 第11-13页 |
| ·固体激光器概述 | 第13-15页 |
| ·固体激光器分类 | 第13-14页 |
| ·固体激光器的工作物质 | 第14-15页 |
| ·2μm激光器研究进展 | 第15-17页 |
| ·掺Tm~(3+)激光晶体的评估 | 第17-24页 |
| ·中红外激光晶体材料Cr~(2+):ZnSe的研究 | 第24-29页 |
| ·ZnSe晶体的结构 | 第24-25页 |
| ·Cr~(2+):ZnSe的能级结构 | 第25-27页 |
| ·Cr~(2+):ZnSe研究进展 | 第27-29页 |
| ·本论文研究的主要目的和主要内容 | 第29-31页 |
| ·研究目的 | 第29-30页 |
| ·研究内容 | 第30-31页 |
| 2 晶体生长 | 第31-45页 |
| ·提拉法生长Tm:YAP晶体 | 第31-39页 |
| ·提拉法 | 第31-36页 |
| ·原料的准备 | 第36-37页 |
| ·晶体的生长 | 第37-39页 |
| ·ZnSe晶体的制备 | 第39-42页 |
| ·温梯法 | 第39-40页 |
| ·ZnSe晶体的制备过程 | 第40-42页 |
| ·原料的准备 | 第40页 |
| ·ZnSe晶体生长过程中的难点及解决办法 | 第40-42页 |
| ·ZnSe晶体的生长 | 第42页 |
| ·Cr_2+:ZnSe晶体的制备方法及过程 | 第42-43页 |
| ·本章总结 | 第43-45页 |
| 3 主要测试方法和理论 | 第45-51页 |
| ·测试方法 | 第45-48页 |
| ·X射线粉末衍射 | 第45页 |
| ·ICP-AES光谱技术 | 第45-46页 |
| ·晶体缺陷的表征方法 | 第46页 |
| ·吸收光谱的测量 | 第46-47页 |
| ·激发光谱和发射光谱的测量 | 第47页 |
| ·激光性能测试 | 第47-48页 |
| ·本论文用到的主要理论 | 第48-51页 |
| ·J-O理论 | 第48-49页 |
| ·无辐射跃迁过程及Tm3+能量交叉弛豫相关理论 | 第49-51页 |
| 4 实验结果与讨论 | 第51-65页 |
| ·Tm:YAP晶体 | 第51-58页 |
| ·Tm:YAP晶体的物相鉴定 | 第51页 |
| ·Tm:YAP晶体的吸收光谱研究 | 第51-55页 |
| ·荧光寿命测量分析 | 第55页 |
| ·Tm:YAP晶体的激光实验研究 | 第55-58页 |
| ·ZnSe单晶 | 第58-60页 |
| ·ZnSe单晶的XRD分析 | 第58-59页 |
| ·ZnSe单晶的缺陷研究 | 第59-60页 |
| ·ZnSe及Cr_2+:ZnSe晶体的光谱性能研究 | 第60-63页 |
| ·ZnSe的红外透过性质研究 | 第60页 |
| ·ZnSe和Cr_2+:ZnSe晶体吸收光谱测试分析 | 第60-62页 |
| ·Cr_2+:ZnSe的光致发光光谱 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 5 结论 | 第65-67页 |
| ·主要结论 | 第65-66页 |
| ·展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
