| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| ·叠层片式PTCR的国内外研究现状 | 第10-13页 |
| ·BaTiO_3基PTCR的敏感机理 | 第13-17页 |
| ·Heywang模型 | 第13-15页 |
| ·Jonker模型 | 第15-16页 |
| ·Daniels模型 | 第16-17页 |
| ·BaTiO_3基PTCR的制备工艺及流程 | 第17-19页 |
| ·本文主要内容 | 第19-20页 |
| 2 有机流延对片式PTCR器件性能影响 | 第20-41页 |
| ·叠层片式PTCR流延技术及工艺流程 | 第20-27页 |
| ·BaTiO_3粉体制备 | 第20-21页 |
| ·流延工艺流程 | 第21-23页 |
| ·叠层片式PTCR器件制备过程 | 第23-24页 |
| ·还原再氧化过程 | 第24-25页 |
| ·性能测试 | 第25-27页 |
| ·流延浆料性能与生坯密度对器件的影响 | 第27-29页 |
| ·流延浆料性能 | 第27-28页 |
| ·生坯密度对器件的影响 | 第28-29页 |
| ·还原再氧化过程对PTCR器件性性能的影响 | 第29-36页 |
| ·还原气氛烧结温度下对BaTiO_3基陶瓷的微观结构的影响 | 第29-30页 |
| ·还原气氛烧结温度对BaTiO_3基陶瓷的相对密度的影响 | 第30-31页 |
| ·氧化温度对的BaTiO_3基陶瓷的相对密度的影响 | 第31-34页 |
| ·烧结温度对击穿电压的影响 | 第34-36页 |
| ·PTCR器件特性的电性能 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 3 水基流延对叠层片式PTCR器件性能影响 | 第41-53页 |
| ·叠层片式PTCR水基流延技术及工艺流程 | 第41-45页 |
| ·水基流延分散剂的选择 | 第41页 |
| ·水基流延粘合剂的选择 | 第41-42页 |
| ·水基流延增塑剂的选择 | 第42-43页 |
| ·水基流延工艺流程 | 第43-45页 |
| ·水基流延的还原再氧化过程 | 第45-47页 |
| ·排胶温度的确定 | 第45-47页 |
| ·烧结温度和氧化温度的确定 | 第47页 |
| ·水基流延对BaTiO_3基PTCR器件的性能影响 | 第47-50页 |
| ·水基流延浆料的粘度和PH值 | 第47-48页 |
| ·水基流延生坯密度 | 第48页 |
| ·水基流延对BaTiO_3基PTCR器件烧结形貌影响 | 第48-49页 |
| ·水基流延对BaTiO_3基PTCR器件烧结密度影响 | 第49页 |
| ·水基流延对BaTiO_3基PTCR器件耐电压的影响 | 第49-50页 |
| ·水基流延对PTCR器件PTC效应、室温电阻率及居里温度的影响 | 第50页 |
| ·水基流延与有机流延对PTCR器件性能影响对比 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 4 SiO_2掺杂对片式PTCR器件性能影响 | 第53-61页 |
| ·掺杂SiO_2片式PTCR器件制备流程 | 第53-54页 |
| ·SiO_2含量对BaTO_3陶瓷样品的相对密度的影响 | 第54-55页 |
| ·还原气氛烧结温度 | 第55-56页 |
| ·氧化温度 | 第56-58页 |
| ·PTC效应和室温电阻率 | 第58-59页 |
| ·居里温度 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 5 结论与展望 | 第61-63页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| ·展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第69页 |
