| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| ·SiC 陶瓷的研究现状 | 第8-11页 |
| ·SiC 连接的研究 | 第11-14页 |
| ·陶瓷连接的应用背景 | 第11页 |
| ·陶瓷连接方法的发展 | 第11-13页 |
| ·陶瓷连接中间层材料的发展 | 第13-14页 |
| ·Ti_3SiC_2材料的研究进展 | 第14-19页 |
| ·Ti_3SiC_2的结构和性质 | 第15-17页 |
| ·Ti_3SiC_2的合成制备现状 | 第17-19页 |
| ·放电等离子加工技术研究现状 | 第19-21页 |
| ·放电等离子加工技术简介 | 第19-20页 |
| ·放电等离子加工技术的应用 | 第20-21页 |
| ·本文的研究内容及意义 | 第21-22页 |
| 第二章 实验方法与表征方法 | 第22-26页 |
| ·实验材料与设备 | 第22-23页 |
| ·实验材料 | 第22页 |
| ·实验设备 | 第22-23页 |
| ·实验工艺过程 | 第23-24页 |
| ·Ti_3SiC_2材料制备工艺 | 第23-24页 |
| ·SiC 陶瓷连接工艺 | 第24页 |
| ·实验样品测试与表征方法 | 第24-26页 |
| ·X-射线衍射物相分析(XRD) | 第24-25页 |
| ·扫描电镜分析(SEM) | 第25页 |
| ·抗弯强度测试 | 第25-26页 |
| 第三章 Ti_3SiC_2陶瓷的制备 | 第26-36页 |
| ·Si 含量对制备 Ti_3SiC_2纯度的影响 | 第26-28页 |
| ·添加 Al 对制备 Ti_3SiC_2纯度的影响 | 第28-31页 |
| ·不同烧结温度对制备 Ti_3SiC_2纯度的影响 | 第31-34页 |
| ·小结 | 第34-36页 |
| 第四章 SiC 陶瓷的连接 | 第36-53页 |
| ·Ti_3SiC_2粉作为中间层 | 第36-41页 |
| ·单质混粉作为中间层 | 第41-48页 |
| ·TiC+Si 混粉作为中间层 | 第48-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第五章 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 作者简介 | 第61页 |