| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-28页 |
| ·红外探测器的发展史及研究现状 | 第10-15页 |
| ·红外成像探测器的发展历史 | 第10-11页 |
| ·量子阱红外探测器的研究现状 | 第11-14页 |
| ·量子阱红外探测器的应用 | 第14-15页 |
| ·双色量子阱红外探测器的芯片结构 | 第15-19页 |
| ·双色探测芯片的结构类型 | 第15-17页 |
| ·双色探测芯片结构设计 | 第17-19页 |
| ·双色红外探测器工艺流程 | 第19-25页 |
| ·光栅制备 | 第19-20页 |
| ·光栅反光镜制备 | 第20-21页 |
| ·MW QWIR 制备 | 第21页 |
| ·LW QWIR 制备 | 第21-22页 |
| ·引线孔制备 | 第22-23页 |
| ·电极制备 | 第23-24页 |
| ·微台面隔离 | 第24页 |
| ·表面引线孔制备 | 第24-25页 |
| ·论文内容安排及主要工作 | 第25-28页 |
| 第2章 GaAs/AlGaAs 双色量子阱红外探测器芯片加工技术 | 第28-38页 |
| ·GaAs/AlGaAs 系材料的主要刻蚀技术 | 第28-33页 |
| ·GaAs/AlGaAs 系材料的干法刻蚀方法 | 第28-29页 |
| ·感应耦合等离子体刻蚀 | 第29-32页 |
| ·低能高密度等离子体刻蚀设备 | 第29-30页 |
| ·GaAs/AlGaAs 系材料的 ICP 刻蚀原理 | 第30-31页 |
| ·不同 ICP 刻蚀参数对刻蚀速率、刻蚀选择比的影响 | 第31-32页 |
| ·湿法腐蚀 | 第32-33页 |
| ·微台面光刻技术 | 第33-35页 |
| ·深微台面的光刻胶均匀涂覆技术 | 第33-34页 |
| ·深微台面的光刻曝光技术 | 第34-35页 |
| ·微台面列阵的金属化技术 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第3章 微台面光刻技术 | 第38-50页 |
| ·微台面表面及底部光刻胶厚度测定 | 第38-44页 |
| ·测量方法 | 第38-39页 |
| ·结果分析 | 第39-40页 |
| ·光刻胶涂覆过程的数值描述 | 第40-42页 |
| ·普通平面光刻工艺缺陷 | 第42页 |
| ·光刻胶光强透过率测量实验 | 第42-44页 |
| ·平面光刻工艺的优化 | 第44-47页 |
| ·有源区刻蚀图形制备 | 第44-45页 |
| ·金属电极图形制备 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-50页 |
| 第4章 微台面形成技术 | 第50-64页 |
| ·微台面图形 ICP 刻蚀 | 第50-61页 |
| ·光刻胶掩膜厚度、图形尺寸与侧壁倾角关系 | 第50-54页 |
| ·ICP 刻蚀参数与侧壁倾角关系 | 第54-58页 |
| ·ICP 刻蚀参数的确定 | 第58-61页 |
| ·微台面的湿法腐蚀 | 第61-63页 |
| ·选择腐蚀机理 | 第61-62页 |
| ·腐蚀条件选择 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
