| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 1 绪论 | 第13-70页 |
| ·研究背景 | 第13-22页 |
| ·光电极相关的效率计算方式及相关的测量原则 | 第22-37页 |
| ·半导体量子点材料和合成方法 | 第37-58页 |
| ·影响光电极效率的具体问题 | 第58-61页 |
| ·利用电化学方法对TiO_2纳米棒阵列复合光电极的带隙连接类型进行判断的方法 | 第61-67页 |
| ·本工作的研究目的、意义和主要内容 | 第67-70页 |
| 2 CVD方法制备CdS_xSe_y纳米颗粒敏化的TiO_2/N-TiO_2纳米棒阵列光电极及其PEC性能 | 第70-108页 |
| ·TiO_2纳米棒阵列光电极的制备及其PEC性能 | 第70-79页 |
| ·N-TiO_2纳米棒阵列光电极的制备及其PEC性能 | 第79-89页 |
| ·CdS/TiO_2及CdS/N-TiO_2纳米棒阵列光电极的制备及其PEC性能 | 第89-97页 |
| ·CdS_xSe_y/TiO_2及CdS_xSe_y/N-TiO_2纳米棒阵列光电极的制备及其PEC性能 | 第97-106页 |
| ·本章小结及各光电极PEC性能的综合比较 | 第106-108页 |
| 3 CVD方法制备Bi_2Se_3纳米颗粒,Bi_2Se_3与CdS纳米颗粒共敏化的TiO_2纳米棒阵列光电极(Bi_2Se_3/CdS/TiO_2),其PEC性能以及带隙连接情况 | 第108-122页 |
| ·Bi_2Se_3纳米材料的性质及常见的制备情况简介 | 第109-111页 |
| ·Bi_2Se_3纳米颗粒及Bi_2Se_3纳米颗粒敏化的系列光电极的制备 | 第111-113页 |
| ·Bi_2Se_3纳米颗粒敏化的光电极的表征 | 第113-116页 |
| ·Bi_2Se_3/CdS/TiO_2系列光电极的PEC性能及带隙连接情况 | 第116-119页 |
| ·本章小结 | 第119-122页 |
| 4 CVD方法制备PbSe纳米颗粒,PbSe与CdS纳米颗粒共敏化的N-TiO_2纳米棒阵列光电极(Bi_2Se_3/CdS/TiO_2),其PEC性能以及带隙连接情况 | 第122-136页 |
| ·PbSe纳米材料的性质及常见的制备情况简介 | 第122-125页 |
| ·PbSe纳米颗粒及PbSe纳米颗粒敏化的系列光电极的制备 | 第125-126页 |
| ·PbSe纳米颗粒敏化的光电极的表征 | 第126-130页 |
| ·PbSe/CdS/N-TiO_2系列光电极的PEC性能及带隙连接情况 | 第130-134页 |
| ·本章小结 | 第134-136页 |
| 5 全文总结与展望 | 第136-141页 |
| ·本文的主要研究结果 | 第136-138页 |
| ·本文的创新之处 | 第138-139页 |
| ·下一步的工作展望 | 第139-141页 |
| 致谢 | 第141-142页 |
| 参考文献 | 第142-180页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表和待发表的论文目录 | 第180-181页 |
| 附录2 攻读博士学位期间参加学术活动情况 | 第181页 |
| 附录3 攻读博士学位期间申请专利与基金情况 | 第181页 |
