| 目录 | 第1-6页 |
| CONTENTS | 第6-8页 |
| 中文摘要 | 第8-11页 |
| ABSTRACT | 第11-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-31页 |
| ·引言 | 第16-17页 |
| ·SOI材料简介 | 第17-21页 |
| ·光子晶体材料简介 | 第21-29页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第29-31页 |
| 第二章 离子注入与分析技术 | 第31-45页 |
| ·离子注入技术 | 第32-37页 |
| ·1.7MV串列加速器 | 第37-38页 |
| ·卢瑟福背散射/沟道分析技术 | 第38-45页 |
| 第三章 光子晶体理论及制备方法 | 第45-64页 |
| ·平面波展开法(PWE) | 第46-50页 |
| ·时域有限差分法(FDTD) | 第50-55页 |
| ·光刻刻蚀技术 | 第55-61页 |
| ·聚焦离子束技术 | 第61-64页 |
| 第四章 稀土离子注入SOI的射程分布 | 第64-92页 |
| ·SOI样品的品质检测 | 第65-68页 |
| ·稀土离子注入SOI的射程分布 | 第68-84页 |
| ·稀土离子注入SOI的横向分布 | 第84-92页 |
| 第五章 稀土离子注入SOI的晶体损伤分布及退火行为 | 第92-103页 |
| ·稀土离子注入SOI的晶格损伤 | 第93-96页 |
| ·Er离子注入SOI的退火行为 | 第96-103页 |
| 第六章 Er离子注入SOI的光致发光 | 第103-107页 |
| ·Er、O共注入的SOI样品退火后的光致发光 | 第104-105页 |
| ·Er注入的SOI样品在O_2和N_2气氛退火后的光致发光 | 第105-107页 |
| 第七章 SOI基准三维平板光子晶体的带隙和波导 | 第107-129页 |
| ·SOI基准三维平板光子晶体的制备 | 第107-113页 |
| ·SOI基准三维平板光子晶体的带隙 | 第113-123页 |
| ·SOI基准三维平板光子晶体的波导传输 | 第123-129页 |
| 第八章 总结 | 第129-134页 |
| ·主要结果 | 第130-133页 |
| ·主要创新点 | 第133-134页 |
| 参考文献 | 第134-141页 |
| 致谢 | 第141-142页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及获得的奖励 | 第142-144页 |
| 附外文论文 | 第144-151页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第151页 |