溶胶—凝胶法制备二氧化锡纳米复合薄膜及其电学特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-31页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·金属氧化物半导体薄膜气体传感器材料 | 第12-18页 |
| ·表面控制型 | 第14-16页 |
| ·体控制型 | 第16-18页 |
| ·金属氧化物半导体薄膜制备 | 第18-21页 |
| ·溅射法 | 第19页 |
| ·化学气相沉积 | 第19页 |
| ·喷雾热分解法 | 第19-20页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第20-21页 |
| ·新的薄膜制备技术 | 第21页 |
| ·薄膜气敏传感器性能改进 | 第21-28页 |
| ·气敏膜方面的研究 | 第22-25页 |
| ·传感器结构方面的工作 | 第25-28页 |
| ·课题的提出及研究内容 | 第28-31页 |
| 第2章 金属氧化物半导体薄膜电学特性理论基础 | 第31-53页 |
| ·二氧化锡薄膜结构和性能 | 第31-32页 |
| ·金属氧化物半导体薄膜电学特性 | 第32-48页 |
| ·金属氧化物薄膜电学理论 | 第32-40页 |
| ·薄膜传感器的结构模型 | 第40-42页 |
| ·电子在金属氧化物薄膜中的传输 | 第42-46页 |
| ·薄膜电导 | 第46-48页 |
| ·金属半导体的肖特基接触 | 第48-51页 |
| ·金属半导体接触原理 | 第48-49页 |
| ·肖特基载流子输运 | 第49-50页 |
| ·肖特基接触的势垒 | 第50页 |
| ·影响肖特基势垒高度的因素 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第3章 二氧化锡复合薄膜的制备及表征 | 第53-89页 |
| ·溶胶-凝胶法的基本原理和特点 | 第53-54页 |
| ·掺杂元素的选择 | 第54-56页 |
| ·二氧化锡复合薄膜的制备 | 第56-60页 |
| ·实验所用的设备与器材 | 第56-57页 |
| ·主要原料 | 第57页 |
| ·实验流程 | 第57-60页 |
| ·溶胶凝胶法制备薄膜样品的表征 | 第60-87页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第61-68页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第68-80页 |
| ·电学特性分析 | 第80-87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 第4章 金属氧化物半导体薄膜气敏性能的模拟分析 | 第89-113页 |
| ·金属氧化物半导体薄膜气敏机理的研究 | 第89-95页 |
| ·气体在气敏膜中的浓度 | 第95-99页 |
| ·气体传感器的主要性能参数 | 第99页 |
| ·气敏传感器灵敏度的模型 | 第99-105页 |
| ·气敏传感器灵敏度模型的建立 | 第99-102页 |
| ·气敏传感器灵敏度模型的模拟 | 第102-105页 |
| ·气敏传感器响应时间的模型 | 第105-111页 |
| ·气敏传感器响应时间模型的建立 | 第105-108页 |
| ·气敏传感器响应时间模型的模拟 | 第108-111页 |
| ·本章小结 | 第111-113页 |
| 第5章 结论和展望 | 第113-115页 |
| ·结论 | 第113-114页 |
| ·展望 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-125页 |
| 致谢 | 第125-127页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第127页 |
