多孔硅制备方法及其含能材料爆炸性能研究
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
1 引言 | 第11-24页 |
·概述 | 第11-12页 |
·含能材料的发展及研究现状 | 第12-14页 |
·多孔材料的特征及分类 | 第14-17页 |
·多孔材料的特征 | 第14-15页 |
·多孔材料的分类 | 第15-17页 |
·典型多孔材料的制备方法及形成机理 | 第17-19页 |
·金属多孔材料的制备方法 | 第17页 |
·多孔陶瓷的制备方法 | 第17-18页 |
·硅气凝胶的制备及形成机理 | 第18-19页 |
·多孔硅的研究现状及应用 | 第19-23页 |
·多孔硅材料的研究现状 | 第19-22页 |
·多孔硅/氧化剂复合含能材料的应用 | 第22-23页 |
·论文研究内容 | 第23-24页 |
2 单晶硅电化学方法制备多孔硅基片的研究 | 第24-38页 |
·单晶硅制备多孔硅基片的方法 | 第24-26页 |
·电化学方法制备多孔硅的形成模型 | 第26-31页 |
·多孔硅基片的电化学制备 | 第31-38页 |
·实验仪器及原料 | 第31-32页 |
·双槽电化学阳极氧化的制备流程 | 第32-34页 |
·阳极电化学反应的反应现象 | 第34页 |
·电化学反应条件对孔隙率的影响 | 第34-35页 |
·多孔硅基片 SEM 扫描电镜图 | 第35-36页 |
·多孔硅层的 FT‐IR 光谱图 | 第36-38页 |
3 化学腐蚀法制备粉状多孔硅的工艺研究 | 第38-59页 |
·粉末状多孔硅的制备方法 | 第38-39页 |
·化学腐蚀法原理 | 第39-40页 |
·化学腐蚀法制备多孔硅粉末 | 第40-59页 |
·实验仪器及原料 | 第40页 |
·化学腐蚀法制备多孔硅粉末工艺流程 | 第40-41页 |
·化学腐蚀法制备多孔硅粉末工艺优化 | 第41-47页 |
·单因素实验制备条件 | 第47-49页 |
·化学腐蚀条件对多孔硅粉比表面积的影响 | 第49-51页 |
·反应时间对多孔硅粉末形貌及比表面积的影响 | 第51-55页 |
·多孔硅粉活性的影响因素 | 第55-57页 |
·腐蚀时间对多孔硅孔隙率的影响 | 第57-58页 |
·多孔硅/高氯酸钠含能材料热性能分析 | 第58-59页 |
4 多孔硅/高氯酸钠复合含能材料性能测试 | 第59-64页 |
·多孔硅/高氯酸钠含能材料的制备 | 第59页 |
·基片式多孔硅/高氯酸钠的电压感度实验 | 第59-61页 |
·多孔硅/高氯酸钠复合含能材料的机械感度测试 | 第61-64页 |
5 结论与展望 | 第64-66页 |
·结论 | 第64-65页 |
·展望 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-71页 |
攻读硕士期间发表论文及所取得的研究成果 | 第71-72页 |
致谢 | 第72页 |