| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| ·纳米材料概述 | 第11-12页 |
| ·分子模拟简介 | 第12-14页 |
| ·薄膜生长过程的计算机模拟研究现状 | 第14-16页 |
| ·金属氧化及应力产生的基本机制 | 第16-18页 |
| ·分子模拟在金属氧化方面的研究现状 | 第18-20页 |
| ·本文研究的目的、内容及意义 | 第20-22页 |
| 第2章 分子动力学模拟的算法与控制方法 | 第22-32页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·分子动力学的基本方法 | 第22-23页 |
| ·分子动力学算法 | 第23-24页 |
| ·原子间的相互作用势能 | 第24-26页 |
| ·对势 | 第24-25页 |
| ·镶嵌原子势 | 第25页 |
| ·reax反应力场 | 第25-26页 |
| ·周期性边界条件 | 第26-27页 |
| ·系棕概述及约束方法 | 第27-30页 |
| ·温度控制方法 | 第28-29页 |
| ·压力(应力)控制方法 | 第29-30页 |
| ·各物理量的计算方法 | 第30-32页 |
| 第3章 模拟的环境与编程实现 | 第32-41页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·软件环境 | 第32-37页 |
| ·分子动力学模拟的软件实现分类 | 第32-33页 |
| ·Lammps及VMD简介 | 第33-37页 |
| ·硬件环境 | 第37页 |
| ·嵌入模块以及多晶基体的编程实现 | 第37-40页 |
| ·deposit嵌入模块编程 | 第37-38页 |
| ·多晶基体模型的vornoni构建编程 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 Al原子在Cu基底上沉积过程的模拟 | 第41-56页 |
| ·引言 | 第41-43页 |
| ·模型构建及模拟的细节 | 第43-45页 |
| ·模型的近似优化 | 第43页 |
| ·多体势函数的选取 | 第43-44页 |
| ·Cu基体模型的构建及边界设定 | 第44页 |
| ·沉积的过程 | 第44-45页 |
| ·单个Al原子沉积行为的研究 | 第45-48页 |
| ·沉积过程的模拟结果及分析 | 第48-51页 |
| ·沉积能量对薄膜沉积过程的影响 | 第51-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第5章 单晶Al金属氧化过程力学行为的分子动力学模拟 | 第56-72页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·模型及模拟的细节 | 第57-62页 |
| ·系综及控温手段的选择 | 第57-58页 |
| ·化学反应势函数的选择 | 第58页 |
| ·恒定原子数嵌入模块的实现 | 第58-59页 |
| ·模型的建立及弛豫过程 | 第59-61页 |
| ·Al金属基底的氧化嵌入过程 | 第61-62页 |
| ·计算结果的后处理方法 | 第62页 |
| ·金属氧化过程模拟结果与分析 | 第62-63页 |
| ·晶向对氧化过程力学行为的影响 | 第63-67页 |
| ·温度对氧化过程力学行为的影响 | 第67-69页 |
| ·初始应力对氧化过程力学行为的影响 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 第6章 总结与展望 | 第72-74页 |
| ·总结 | 第72页 |
| ·展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 附录1 | 第80-82页 |
| 附录2 | 第82-83页 |