| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 引言 | 第11-15页 |
| ·课题选题依据及意义 | 第11-13页 |
| ·研究现状 | 第13页 |
| ·研究内容 | 第13-14页 |
| ·课题依托 | 第14页 |
| ·预期研究成果 | 第14-15页 |
| 第2章 低能X射线能谱测量技术概况 | 第15-21页 |
| ·X射线 | 第15-17页 |
| ·X射线的产生 | 第15页 |
| ·连续X射线 | 第15-16页 |
| ·特征X射线 | 第16-17页 |
| ·低能X射线能谱测量仪 | 第17-21页 |
| ·X射线弯曲晶体谱仪 | 第17页 |
| ·NaI(Tl)探测器 | 第17-18页 |
| ·正比计数器 | 第18页 |
| ·半导体探测器 | 第18-19页 |
| ·化合物半导体CdZnTe、CdTe探测器 | 第19-21页 |
| 第3章 低能X射线标准辐射场的建立与研究 | 第21-29页 |
| ·低能X射线标准辐射场简介 | 第21-24页 |
| ·X射线发生装置 | 第21-22页 |
| ·辐射源出束装置 | 第22-23页 |
| ·滤过器系统 | 第23-24页 |
| ·定位系统 | 第24页 |
| ·低能X射线标准辐射场的辐射野均匀性的研究 | 第24-27页 |
| ·辐射野 | 第24-25页 |
| ·矩阵电离室测量辐射野 | 第25-27页 |
| ·辐射质的建立 | 第27-29页 |
| 第4章 能X射线标准辐射场的能谱测量与研究 | 第29-53页 |
| ·测量装置 | 第29-34页 |
| ·Si(Li)探测器 | 第29-31页 |
| ·HPGe探测器 | 第31-32页 |
| ·屏蔽准直装置 | 第32-33页 |
| ·DSA1000数字化多道分析器及Genie2000谱分析软件 | 第33-34页 |
| ·探测器能量刻度 | 第34-40页 |
| ·能量线性 | 第34页 |
| ·道宽ΔE、道数n | 第34-35页 |
| ·能量分辨率 | 第35-38页 |
| ·能量刻度 | 第38-40页 |
| ·能谱测量 | 第40-42页 |
| ·影响低能X射线标准辐射场能谱的因素 | 第42-51页 |
| ·管电压 | 第42-45页 |
| ·管电流 | 第45-46页 |
| ·准直器 | 第46-47页 |
| ·探测器与X光管焦斑的距离 | 第47-48页 |
| ·探测器摆放的方位 | 第48-49页 |
| ·附加过滤 | 第49-51页 |
| ·40kV规范的测量结果 | 第51-53页 |
| 第5章 EGSnrc模拟 | 第53-67页 |
| ·低能过滤X射线谱的模拟 | 第53-59页 |
| ·40kV规范的能谱的模拟 | 第54-55页 |
| ·模拟低能过滤X射线能谱的误差 | 第55-56页 |
| ·管电压对能谱影响的模拟 | 第56页 |
| ·光管若干参数对过滤X射线谱的影响 | 第56-59页 |
| ·GL0110P的模拟 | 第59-66页 |
| ·概述 | 第59-60页 |
| ·P+面厚度及材料种类对能量谱线形状的影响 | 第60-62页 |
| ·锂蒸发层半径对能谱的影响 | 第62-63页 |
| ·EGSnrc建立的探测器模型 | 第63-66页 |
| ·GL0110P测得过滤X射线谱的模拟 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻读学位期间取得学术成果 | 第75页 |