| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·微通道板的结构与类型 | 第7-10页 |
| ·二次电子发射特性研究历史及现状 | 第10-11页 |
| ·本文的主要研究工作及意义 | 第11-13页 |
| 第二章 微通道板电子增益分析与二次电子发射原理 | 第13-21页 |
| ·微通道板的电子增益分析 | 第13-16页 |
| ·电子诱导二次电子发射原理 | 第16-21页 |
| 第三章 SiO_2薄膜打拿极的制备及性能测试 | 第21-32页 |
| ·打拿极薄膜材料选择及打拿极结构 | 第21-23页 |
| ·打拿极绝缘层的制备及结果分析 | 第23-24页 |
| ·打拿极导电层的制备及结果分析 | 第24-26页 |
| ·打拿极发射层制备 | 第26-29页 |
| ·打拿极性能测试 | 第29-32页 |
| 第四章 SiO_2二次电子发射特性模拟研究 | 第32-40页 |
| ·SiO_2二次电子发射特性理论模型 | 第32-34页 |
| ·SiO2薄膜二次电子发射特性数值计算模拟及分析 | 第34-37页 |
| ·微通道板电子增益特性实验模拟结果及分析 | 第37-40页 |
| 结论 | 第40-41页 |
| 致谢 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |